NCP81071BDR2G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCP81071BDR2G

商品编码: BM0093065450
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOIC-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.204g
描述 : 
Driver 5A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
库存 :
676(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
4.27
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.27
--
100+
¥3.56
--
1250+
¥3.24
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCP81071BDR2G参数

驱动配置低端通道类型独立式
驱动器数2栅极类型N 沟道 MOSFET
电压 - 供电4.5V ~ 20V逻辑电压 - VIL,VIH1.2V,1.8V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)5A,5A输入类型非反相
上升/下降时间(典型值)8ns,8ns工作温度-40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC

NCP81071BDR2G手册

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NCP81071BDR2G概述

NCP81071BDR2G 产品概述

产品简介

NCP81071BDR2G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高效能低侧栅极驱动器,具有独立通道配置,旨在满足各种电源管理应用中对驱动高性能 N 沟道 MOSFET 的需求。该驱动器以其宽广的供电电压范围(4.5V ~ 20V)和高电流输出能力(峰值输出电流可达 5A),为多样化的电动机控制、DC-DC 转换器、LED 驱动和其他开关电源应用提供了强大的解决方案。

基本参数

NCP81071BDR2G 驱动器设计为双输出,支持低端驱动配置,适合于应用场景中需要同时控制两个不同负载的情况。其输入信号为非反相类型,意味着输入端的逻辑高电平将直接驱动MOSFET导通,逻辑低电平则将其关断。这种设计简化了电路的逻辑控制,降低了设计复杂度。

此器件的逻辑电压特性(VIL = 1.2V, VIH = 1.8V)确保其在较低的控制电压下仍能可靠工作,适合与现代微控制器或数字逻辑器件直接进行整合。该驱动器的上升和下降时间典型值均为 8ns,兼具快速切换特性,提升了电源转换效率,降低了开关损耗。

工作环境

NCP81071BDR2G 的工作温度范围从 -40°C 到 140°C(TJ),使其在严酷环境下也能保持稳定的性能表现。这一特性使它适用于汽车、高温工业设备及其他环境要求极高的应用场景。

封装与安装

该产品采取了 8-pin SOIC (0.154" 及 3.90mm 宽)封装,非常适合表面贴装技术(SMD),其紧凑的设计使得在空间受限的电路板上仍然能够实现高效布线。这种封装还确保了良好的热管理能力,进一步提高了设备的可靠性。

应用领域

NCP81071BDR2G 在电力电子领域具有广泛的应用潜力。以下是一些具体的应用场景:

  1. DC-DC 转换器:在开关转换过程中提供有效的 MOSFET 驱动,以提高转换效率和电流承载能力。
  2. 电动机控制:通过精确的栅极驱动能力,实现对直流电动机、高速步进电动机和伺服电动机的高效控制。
  3. LED 驱动:提供对大功率 LED 的快速切换能力,提升光效和驱动效果。
  4. 电池管理系统:在电池充电和放电过程中,提供同步整流的高效驱动,保障电池的安全性和长寿命。
  5. 汽车电子:在汽车应用中,对电机、继电器和其他负载进行可靠的控制,满足复杂场景下的快速响应需求。

总结

NCP81071BDR2G 以其优异的电气特性、宽广的工作电压范围和稳定的输出性能,成为市场上强大且可靠的低侧 MOSFET 驱动解决方案。其简化的逻辑设计和卓越的切换性能,使其在电源管理和电动机控制等领域表现出色,充分满足现代电子设备对于高效能和可靠性的要求。凭借坚固的耐环境能力,该器件将是设计师在面对各种技术挑战时的理想选择。