驱动配置 | 低端 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4.5V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 1.2V,1.8V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 5A,5A | 输入类型 | 非反相 |
上升/下降时间(典型值) | 8ns,8ns | 工作温度 | -40°C ~ 140°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
NCP81071BDR2G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高效能低侧栅极驱动器,具有独立通道配置,旨在满足各种电源管理应用中对驱动高性能 N 沟道 MOSFET 的需求。该驱动器以其宽广的供电电压范围(4.5V ~ 20V)和高电流输出能力(峰值输出电流可达 5A),为多样化的电动机控制、DC-DC 转换器、LED 驱动和其他开关电源应用提供了强大的解决方案。
NCP81071BDR2G 驱动器设计为双输出,支持低端驱动配置,适合于应用场景中需要同时控制两个不同负载的情况。其输入信号为非反相类型,意味着输入端的逻辑高电平将直接驱动MOSFET导通,逻辑低电平则将其关断。这种设计简化了电路的逻辑控制,降低了设计复杂度。
此器件的逻辑电压特性(VIL = 1.2V, VIH = 1.8V)确保其在较低的控制电压下仍能可靠工作,适合与现代微控制器或数字逻辑器件直接进行整合。该驱动器的上升和下降时间典型值均为 8ns,兼具快速切换特性,提升了电源转换效率,降低了开关损耗。
NCP81071BDR2G 的工作温度范围从 -40°C 到 140°C(TJ),使其在严酷环境下也能保持稳定的性能表现。这一特性使它适用于汽车、高温工业设备及其他环境要求极高的应用场景。
该产品采取了 8-pin SOIC (0.154" 及 3.90mm 宽)封装,非常适合表面贴装技术(SMD),其紧凑的设计使得在空间受限的电路板上仍然能够实现高效布线。这种封装还确保了良好的热管理能力,进一步提高了设备的可靠性。
NCP81071BDR2G 在电力电子领域具有广泛的应用潜力。以下是一些具体的应用场景:
NCP81071BDR2G 以其优异的电气特性、宽广的工作电压范围和稳定的输出性能,成为市场上强大且可靠的低侧 MOSFET 驱动解决方案。其简化的逻辑设计和卓越的切换性能,使其在电源管理和电动机控制等领域表现出色,充分满足现代电子设备对于高效能和可靠性的要求。凭借坚固的耐环境能力,该器件将是设计师在面对各种技术挑战时的理想选择。