RB521S30T1G 产品实物图片
RB521S30T1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

RB521S30T1G

商品编码: BM0093065400
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOD-523
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
肖特基二极管 500mV@200mA 30V 30uA@10V 200mA SOD-523
库存 :
23081(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.592
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.592
--
200+
¥0.198
--
1500+
¥0.123
--
3000+
¥0.085
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

RB521S30T1G参数

安装类型表面贴装型二极管类型肖特基
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)500mV @ 200mA电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30V
工作温度 - 结-55°C ~ 125°C不同 Vr 时电流 - 反向泄漏30µA @ 10V
封装/外壳SC-79,SOD-523供应商器件封装SOD-523

RB521S30T1G手册

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RB521S30T1G概述

RB521S30T1G 产品概述

产品概述

RB521S30T1G 是一款优质的肖特基二极管,采用表面贴装型封装(SOD-523),广泛应用于各种电子电路中,尤其是在需要快速开关和低正向电压降的场合。这款二极管具有良好的性能特征,适用于小信号处理、逆向保护、电源管理和其他多种应用。

基本参数

  • 安装类型:表面贴装型(SMD)
  • 二极管类型:肖特基
  • 电流 - 平均整流 (Io):200mA(DC)
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500mV @ 200mA
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30V
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 10V
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
  • 封装/外壳:SOD-523,SC-79

性能优势

  1. 低正向电压降:RB521S30T1G 在 200mA 的工作电流下,正向电压降仅为 500mV,意味着在传导时的功耗极低,非常适合用于低电压和高效率的电源设计。

  2. 高电流承载能力:该二极管能够承受高达 200mA 的持续直流电流,使其在大多数小信号应用中表现出色。

  3. 较高的反向电压能力:RB521S30T1G 的最大反向电压为 30V,能够满足大多数应用对电压的需求,确保在反向偏置条件下能够安全工作。

  4. 低反向漏电流:其反向泄漏电流仅为 30µA(@ 10V),在保证性能的同时,进一步降低了功耗。

  5. 广泛的工作温度范围:适用于极端的工作环境,RB521S30T1G 的结温范围从 -55°C 到 125°C,确保二极管在恶劣条件下仍能稳定工作。

应用场景

RB521S30T1G 二极管的优良特性使其在诸多应用中脱颖而出,包括但不限于:

  • 电源管理:用于开关电源、DC-DC 转换器中,提供快速恢复时间和低損耗。
  • 逆向保护:在电流方向错误接入时,可以有效保护电路不受损坏。
  • 小信号整流:适合于RF应用或低功耗数字电路,有助于维持信号完整性和健康。
  • LED驱动:在LED驱动电路中,可以有效提高效率,降低对功率要求。
  • 电池供电设备:在移动设备或便携式产品中,利用其低功耗特性提高电池寿命。

封装与兼容性

RB521S30T1G 采用 SOD-523 封装,具备小巧的体积和轻量化的特点,从而适合于现代高密度电路设计。这种封装不仅降低了热阻,还促进了热量的有效散发,进一步提高二极管的可靠性和性能。

结论

综合以上特性,RB521S30T1G 是一款高性能肖特基二极管,凭借其低电压降、高电流承载能力以及广泛的工作温度范围,成为众多电气工程师和设计师的首选元件。无论是在电源管理、逆向保护,还是其他众多应用场合,RB521S30T1G 都能充分满足现代电子产品对性能和可靠性的高要求。