NTNS3164NZT5G
NTNS3164NZT5G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 361mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 700 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 155mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-883（XDFN3）（1x0.6） |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.8nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 24pF @ 10V |
| 基本产品编号 | NTNS3 |
NTNS3164NZT5G手册
NTNS3164NZT5G概述
NTNS3164NZT5G 产品概述
概述
NTNS3164NZT5G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管）。该器件采用卷带包装（TR），主要用于表面贴装应用，提供了优化的电性能和热管理特性。凭借卓越的导通电阻和相对较高的漏极电流能力，NTNS3164NZT5G 广泛适用于多种电子电路和设备，为设计工程师提供了灵活性和可靠性。
关键特性
电流能力: 在 25°C 的环境温度下，NTNS3164NZT5G 的连续漏极电流（Id）高达 361mA，使其能够在较高的工作负载下稳定运行。
导通电阻: 器件在 200mA 与 4.5V 驱动电压下的最大导通电阻为 700毫欧，良好的电阻特性使得该 MOSFET 能有效降低功耗并提升电路整体效率。
工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围广泛，能够在 -55°C 至 150°C 的环境中稳定工作，非常适合高温和严酷环境下的应用需求。
电压特性: NTNS3164NZT5G 的漏源电压（Vdss）可达到 20V，而栅极电压（Vgs）最大可承受 ±8V，为电路提供了良好的电压兼容能力。
栅极阈值电压: 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为 1V（@ 250µA），确保在低电压条件下也能实现导通，适用于低功耗应用。
小型封装: NTNS3164NZT5G 采用 SOT-883（XDFN3）封装，尺寸为1x0.6mm，适合于空间有限的电子设备设计。
输入和输出特性: 在 10V 的条件下，器件的输入电容 Ciss 最大为 24pF，而栅极电荷 Qg 在 4.5V 时的最大值为 0.8nC，这意味着在快速开关操作时器件的响应速度较快，适合高频应用。
应用场景
NTNS3164NZT5G MOSFET 广泛应用于各种场合，包括但不限于：
直流-直流转换器: 由于其低导通电阻和高电流能力，适合用作开关元件提高能效。
电池管理系统: 在电池的充放电过程中，能够安全高效地管理电池电流，有助于延长电池寿命。
便携设备: 小型封装使其在移动设备、智能穿戴设备等对空间有严格要求的应用中非常受欢迎。
电机驱动与控制: NTNS3164NZT5G 可作为电动机驱动电路中的开关元件，有助于提高电机运行效率。
开关电源: 适用于现代开关电源设计，降低能源消耗并提升转化效率。
结论
NTNS3164NZT5G 是一款功能全面、性能优秀的 N 通道 MOSFET，适用于各种创新电子产品应用。凭借其优良的电气特性与宽广的工作温度范围，它为设计人员提供了高效、可靠的解决方案，帮助他们在实际应用中实现更高的整体系统性能。选择 NTNS3164NZT5G，不仅能够满足现代电子产品的性能需求，同时也助力在不断变化的市场竞争中占得先机。