MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT1G参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140pF @ 5V | 功率耗散（最大值） | 420mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
MGSF1N03LT1G手册
MGSF1N03LT1G概述
MGSF1N03LT1G 产品概述
MGSF1N03LT1G 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由安森美（ON Semiconductor）公司生产，专为各种电子应用而设计。该器件具有良好的电气特性及出色的热性能，适合诸如开关电源、马达驱动和负载控制等广泛用途。
主要参数
FET 类型：MGSF1N03LT1G是一种 N 通道 MOSFET，具有高效的电流导通能力，适合于负载开关和信号放大应用。
漏源电压（Vds）：该器件的最大漏源电压为30V，使其能够在较高电压的环境中可靠工作。
电流承载能力：在额定环境温度（25°C）下，MGSF1N03LT1G 的连续漏极电流（Id）可达1.6A，这使其在多种应用中表现出色。
导通电阻：在Vgs为10V和Id为1.2A时，该MOSFET的最大导通电阻（Rds(on)）为100毫欧，具有低损耗特性，提升了电路的整体效率。
驱动电压：该器件可以通过4.5V或10V的驱动电压进行驱动，并能在较宽的栅源电压范围内实现优异的开关特性。
阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为2.4V，在250µA的漏电流下，确保能低电压驱动而达到开关要求。
输入电容（Ciss）：在5V情况下，最大输入电容为140pF，这对高速开关和高频率应用具有重要意义，能有效降低驱动功耗。
功率耗散：该器件的最大功率耗散能力为420mW，适合于功耗控制尤为重要的应用。
工作温度范围：MGSF1N03LT1G 的工作温度范围为-55°C 至 150°C，保证其在严酷环境中可靠运行。
封装类型：MOSFET 采用 SOT-23-3（TO-236）表面贴装封装，具有小型化、轻量化的优点，适合现代电子设备的紧凑设计。
应用领域
MGSF1N03LT1G 在众多电子应用中有着广泛的应用前景，包括但不限于：
- 开关电源：适合作为高效的电子开关，能够在较高电压条件下稳定工作。
- 马达驱动：其高电流容量和较低的导通电阻使得这个器件非常适用于马达控制电路。
- 负载控制：有效地对各种负载进行开关控制，广泛应用于家电、汽车及工业设备中。
- 信号放大：在低功耗和高效能的前提下，可用于低电压或低功耗信号放大器。
结论
MGSF1N03LT1G 作为一种优质的 N 通道 MOSFET，不仅在高电压条件下表现出色，而且在散热能力和功耗方面亦具备竞争力。随着电子设备向小型化、高效化发展，该器件凭借其低导通电阻、适应的电压和电流参数，在多种应用中可以为设计工程师提供可靠的解决方案。无论是工业设备、消费电子产品还是电动工具，MGSF1N03LT1G 都可以有效地满足其性能需求并提升产品的整体竞争力。