IRFP32N50KPBF
IRFP32N50KPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 32A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 190nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5280pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 460W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP32N50KPBF手册
IRFP32N50KPBF概述
产品概述：IRFP32N50KPBF
一、概述
IRFP32N50KPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优异的电气特性和高功率处理能力，适用于各种工业和消费电子应用。此器件由著名电子元器件制造商VISHAY（威世）出品，采用TO-247-3封装，确保安全和高效的散热性能。其最大漏源电压为500V，能够满足大多数高压电路需求，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高频高压场合。
二、主要参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的最大漏源电压为500V，能够承受高电压工作环境，为多种高电压应用提供保障。
连续漏极电流（Id）: 在25°C时，该器件的最大连续漏极电流为32A，适合承载较大的负荷，满足电力需求。
导通电阻（Rds On）: 在10V的栅极驱动电压下，当漏极电流为32A时，其导通电阻最大值为160毫欧。这一低Rds On值确保了高效率，降低了功耗，提升了系统的整体性能。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为5V @ 250µA，提供了一定的开关灵敏度，便于与不同的控制电路兼容。
栅极电荷（Qg）: 在10V的栅极驱动下，栅极电荷最大值为190nC，指示了该器件在开关过程中较低的驱动功耗，有助于提高开关频率。
输入电容（Ciss）: 在25V时，其最大输入电容为5280pF，反映出该器件在高频应用中的可靠性，支持高效的开关操作。
功率耗散（Pd）: 最大功率耗散为460W，适合在高功率密度条件下应用，确保了器件在高负载下的稳定工作。
工作温度范围: 可在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，使其适用于严苛的工作环境。
三、封装与安装
IRFP32N50KPBF采用TO-247-3通孔封装，具有良好的散热性能和便于安装的特点。此封装设计为开发者提供了更高的机械稳定性，适合于PCB快速组装和焊接。同时，TO-247-3封装能够有效降低产品在工作过程中的温度，从而提升器件的寿命和可靠性。
四、应用场景
IRFP32N50KPBF广泛适用于以下领域：
- 电源管理: 在高效率开关电源和DC-DC变换器中使用，帮助提高能量转换效率。
- 电机控制: 在伺服电机和步进电机驱动中提供高功率支持，使动传见效。
- 逆变器: 适用于太阳能逆变器和电动汽车驱动中，承载高电压和大电流的运行需求。
- 工业设备: 在各类工业自动化设备中，用作开关和调节器，确保系统稳定性和效率。
五、总结
IRFP32N50KPBF是一款具有高功率处理能力、高压耐受能力和优异电气特性的N沟道MOSFET，适合多种高效能应用。其低导通电阻、宽工作温度范围及高功率耗散能力使其成为电源管理、电机控制以及逆变器等应用中的理想选择。凭借其可靠的设计和制造质量，IRFP32N50KPBF不仅提升了效率，同时也确保了长期稳定的工作性能。对于开发者而言，这是一个值得投资和使用的电子元件。