FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 82A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 13 毫欧 @ 43A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 160nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3820pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 230W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
产品概述:IRF2807PBF
IRF2807PBF是一款高性能的N通道MOSFET(场效应管),由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。此器件专为高电压和高电流应用而设计,尤其适用于开关电源、直流-直流转换器、电机驱动、以及其他需要高效率和高热管理性能的电子产品。
基础参数:
IRF2807PBF的主要规格特点如下:
应用领域:
由于其卓越的电气性能,IRF2807PBF广泛应用于多种电子和电力设备中,包括但不限于:
总结:
IRF2807PBF凭借其卓越的性能规格、可靠的工作环境以及优越的负载能力,成为当今电子行业内不可或缺的重要器件之一。其适用的广泛领域和卓越的性能使其在许多前沿技术中发挥着重要作用,适合各种严苛的电气应用。无论是工业、消费电子还是汽车应用,IRF2807PBF都能提供有效的解决方案并满足现代科技发展的需求。