IRF2807PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF2807PBF

商品编码: BM0093065331
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.75g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 230W 75V 82A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
5817(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
3.48
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.48
--
50+
¥2.68
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF2807PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)75V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)82A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)13 毫欧 @ 43A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)160nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3820pF @ 25V
功率耗散(最大值)230W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRF2807PBF手册

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IRF2807PBF概述

产品概述:IRF2807PBF

IRF2807PBF是一款高性能的N通道MOSFET(场效应管),由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。此器件专为高电压和高电流应用而设计,尤其适用于开关电源、直流-直流转换器、电机驱动、以及其他需要高效率和高热管理性能的电子产品。

基础参数:

IRF2807PBF的主要规格特点如下:

  • 漏源电压 (Vdss): 本设备的漏源电压可高达75V,使其适用于中等电压的电力电子应用。
  • 连续漏极电流 (Id): IRF2807PBF在25°C的环境温度下连续漏极电流可达82A(当热沉温度为Tc时),这表明其能够处理高负载电流,适合电源电流较大的场合。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在10V栅极驱动电压下,最大导通电阻为13毫欧(当电流为43A时),这确保了极低的传导损耗,从而提高整体电源效率。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为4V(当漏极电流为250µA时),这使得IRF2807PBF在较低的栅极驱动电压下即可可靠工作。
  • 栅极电荷 (Qg): 该产品在10V栅极驱动电压下的栅极电荷最大为160nC,这意味着在高频应用时具备较好的动态特性。
  • 极限栅极电压 (Vgs): 感应器件的栅极电压最大可达±20V,增加了器件的可靠性和容错性。
  • 输入电容 (Ciss): 在25V环境下的输入电容最大为3820pF,这有助于实现高频开关,应对高频应用的需求。
  • 功率耗散 (Pd): 最大功率耗散为230W(Tc状态),大幅提升了热管理能力,适合严苛环境下使用。
  • 工作温度范围: 它具有广泛的工作温度范围,-55°C至175°C,允许其在极端环境中稳定运行。
  • 安装类型和封装: IRF2807PBF采用TO-220AB封装方式,支持通孔安装,便于与散热器结合,提升热效能。

应用领域:

由于其卓越的电气性能,IRF2807PBF广泛应用于多种电子和电力设备中,包括但不限于:

  1. 开关电源: 在高频和高效率的开关模式电源中,IRF2807PBF的低导通电阻和高功率处理能力相辅相成。
  2. 直流-直流转换器: 能实现高效的能量转换,适合用于电池供电的应用。
  3. 电机驱动器: 该MOSFET能够承受高电流,对于电机启动、运行及停止控制提供可靠保障。
  4. 功率放大器: 在射频和音频放大电路中,提供更高的增益和有效性。
  5. 电动汽车和可再生能源设备: 在电动汽车的电力电子系统和太阳能逆变器中表现优异。

总结:

IRF2807PBF凭借其卓越的性能规格、可靠的工作环境以及优越的负载能力,成为当今电子行业内不可或缺的重要器件之一。其适用的广泛领域和卓越的性能使其在许多前沿技术中发挥着重要作用,适合各种严苛的电气应用。无论是工业、消费电子还是汽车应用,IRF2807PBF都能提供有效的解决方案并满足现代科技发展的需求。