FDMS86163P
FDMS86163P参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.9A（Ta），50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 7.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 59nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4085pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），104W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
FDMS86163P手册
FDMS86163P概述
产品概述：FDMS86163P
一、产品简介
FDMS86163P 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为高效率开关电源及各种功率管理应用而设计。采用先进的 MOSFET 技术，这款器件提供了优异的导通电阻和热性能，广泛应用于电源转换、负载开关及电池管理系统中。这款产品由知名制造商 ON Semiconductor（安森美）提供，具备极佳的可靠性和稳定性。
二、关键参数
FET 类型：FDMS86163P 是一款 P 通道 MOSFET，适用于高侧开关应用。
最大漏源电压（Vdss）：100V，这意味着该器件能承受高达100伏的电压，非常适合用于高压电源和逆变器应用。
持续漏极电流 (Id)：在环境温度25°C时，器件的连续漏极电流为7.9A，同时在结温（Tc）为25°C时，连续漏极电流可达50A。这表明 FDMS86163P 能够在高温条件下提供强大的电流输出。
导通电阻 (Rds(on))：在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻仅为22毫欧，这有助于降低导通损耗，提升整体电能效率。
栅极电压 (Vgs)：该器件的栅极电压范围为±25V，确保在各种工作条件下提供可靠的驱动能力。
栅极阈值电压 (Vgs(th))：其最大阈值电压为4V（在250µA条件下），这一参数对于确定MOSFET开始导通点至关重要。
功率耗散能力：在环境温度下最大功率耗散为2.5W，而在结温下则可达到104W，支持高功率应用而不容易出现热失效。
工作温度范围：FDMS86163P 的工作温度范围为-55°C 至 150°C，这使得该器件在极端环境条件下具备良好的性能。
封装和安装：该产品采用8-PQFN（5x6）封装，符合表面贴装要求，极大地减少了PCB的占用空间，有助于提高电路的集成度和散热性能。
三、应用场景
FDMS86163P 适用于多种应用场景，包括但不限于：
开关电源：作为主开关元件，保证高效率的功率转换。
电池管理系统：在移动设备和电动交通工具中使用，调节充电与放电过程，确保系统安全可靠。
电机驱动：在需要高效率和高电流控制的电机控制应用中，FDMS86163P 提供稳定的驱动信号。
功率分配：在需要负载控制的电源分配板中，此MOSFET能够提供有效管理。
四、总结
FDMS86163P 是一款结构紧凑、性能优越的 P 通道 MOSFET，适用于各种高效能电源应用。这款器件不仅具备极低的导通电阻和宽泛的工作温度范围，还支持多种电气特性，为高效的电流管理与热管理提供了可能。借助 ON Semiconductor 的成熟技术与高质量标准，FDMS86163P 能够满足现代电子设备对功率密度与热管理的严格要求，为设计师提供了可靠的选择。