BAS21H,115
BAS21H,115参数
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 200mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 50ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 200V | 不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-123F |
| 供应商器件封装 | SOD-123F | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
BAS21H,115手册
BAS21H,115概述
产品概述：BAS21H,115
引言
BAS21H,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的高性能标准二极管，采用 SOD-123F 封装。这款二极管专为快速开关应用而设计，适合于各种电子设备中使用。其卓越的性能参数使其成为众多行业中的热门选择，特别是在需要高可靠性的电路中。
关键参数
最大反向电压（Vr）: 该二极管的最大直流反向电压为 200V。这表明 BAS21H,115 能够在高电压应用中工作，从而能够抵御由于瞬态过电压引起的潜在损坏。
平均整流电流（Io）: BAS21H,115 的额定平均整流电流为 200mA（DC）。这使得该器件适合用于需要中等电流处理能力的应用，从而为不同负载条件提供了灵活性。
正向电压降（Vf）: 在 200mA 的负载下，该二极管的正向电压降为 1.25V。这意味着在正常工作状态下，二极管的能量损耗相对较低，从而有助于提高整体电路的能效。
反向恢复时间（trr）: BAS21H,115 的反向恢复时间为 50ns，这是一项关键指标，尤其是在高频开关电路中。快速的恢复时间保证了快速切换而不会引起过多的待机功耗，也降低了可能的电磁干扰（EMI）。
反向泄漏电流: 在 200V 的反向电压下，BAS21H,115 的反向泄漏电流限定为 100nA。这使得该器件在关闭状态下的能量损失极小，增强了其在高阻抗电路中的应用适宜性。
工作温度范围: 该二极管的结温范围最大可达 150°C，这使得 BAS21H,115 可以在更高的温度环境中可靠工作，符合更广泛的应用需求。
电容特性: 在0V和1MHz频率条件下，BAS21H,115 的电容为 5pF。这一特性适合用于高速信号处理和交流应用，有助于降低串音和信号失真。
应用场景
BAS21H,115 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：在电源转换器、电源适配器和其他电源管理系统中用作整流器和保护二极管。
- 信号处理：在高频开关电路中用于救生二极管以及快速切换应用。
- 逻辑电路：可用作逻辑电路或信号调节电路中的保护器件，以防止反向电流对敏感部件造成损坏。
封装与设计
BAS21H,115 采用 SOD-123F 封装，这种小型表面贴装封装形式适用于自动化组装，且有利于提升整体电路的小型化和密度。SOD-123F 封装具有良好的热管理性能和可靠的机械强度，能适应现代电子产品的设计需求。
总结
总的来说，BAS21H,115 是一款兼具高效率和可靠性的标准二极管，适合广泛的电子应用。其出色的电气性能、耐高温能力和小型化封装设计，使其成为设计师和工程师在选择二极管组件时的理想选择。无论是在电源管理、信号处理还是逻辑应用中，BAS21H,115 都能够满足或超越工业标准，为系统提供可靠的性能支持。