FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 80 毫欧 @ 4.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.2nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 587pF @ 20V |
功率耗散(最大值) | 720mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
DMP4065SQ-7 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),主要目标是满足现代电子电路对高效能和小体积元器件的需求。该产品具有广泛的应用场景,尤其适用于低压直流-直流(DC-DC)转换、负载开关、功率管理、电源管理和马达驱动等领域。
DMP4065SQ-7 的特性使其成为理想的选择,适合于:
DMP4065SQ-7 是一款性能出色的 P 通道 MOSFET,具备高电流承载能力、低导通电阻与宽工作温度范围,能够满足现代电源管理和负载开关应用的需求。无论是在电源优化、热管理,还是在提高电路效率方面,该产品都是理想的选择。美台(DIODES)凭借其在半导体领域的专业技术与创新能力,确保了 DMP4065SQ-7 在市场中的竞争力和可靠性,非常适合各类电子设备的应用设计。