FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 150 毫欧 @ 2.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 708pF @ 30V |
功率耗散(最大值) | 1.2W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
一、概述
DMP6185SE-13 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具有优异的电气特性和广泛的应用领域,特别适合于开关电源、马达驱动及其他电源管理应用。该器件由美台(DIODES)品牌制造,采用 SOT-223 表面贴装封装,适合于高密度电路的设计。
二、基本参数
三、封装与安装
DMP6185SE-13 采用 SOT-223 封装,具有四个引脚,非常适合于表面贴装(SMT)技术。这种小巧的封装使得轻松集成于各种电路板中,提高了空间利用率,适合现代电子设备对小型化的需求。
四、应用领域
DMP6185SE-13 在多个领域中可发挥其优势,主要应用包括但不限于:
五、优势分析
DMP6185SE-13 的优势主要在于以下几个方面:
六、结论
总之,DMP6185SE-13 是一款适应广泛应用的 P 沟道 MOSFET,具备卓越的电气性能、可靠的耐用性与精巧的设计,特别适合用于需要高效开关和电源管理的现代电子设备。无论是在工业、消费电子,还是汽车电子等领域,该产品都能提供稳定的性能与较长的使用寿命,是电子设计师和工程师的理想选择。