DMP6185SE-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP6185SE-13

商品编码: BM0093065283
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.2W 60V 3A 1个P沟道 SOT-223-4
库存 :
35740(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.36
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.36
--
100+
¥1.04
--
1250+
¥0.885
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP6185SE-13参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)14nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)708pF @ 30V
功率耗散(最大值)1.2W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-223
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA

DMP6185SE-13手册

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DMP6185SE-13概述

DMP6185SE-13 产品概述

一、概述

DMP6185SE-13 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具有优异的电气特性和广泛的应用领域,特别适合于开关电源、马达驱动及其他电源管理应用。该器件由美台(DIODES)品牌制造,采用 SOT-223 表面贴装封装,适合于高密度电路的设计。

二、基本参数

  1. FET 类型:P 沟道
  2. 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  3. 漏源电压(Vdss):最大承受电压为 60V,适用于多种电气环境。
  4. 连续漏极电流(Id):在 25°C 环境温度下最大为 3A,使其在负载要求较高的情况下仍能保持稳定工作。
  5. 导通电阻(Rds(on)):在不同电流和栅极电压下,最大导通电阻可达 150 毫欧,@ 2.2A,10V,显示出良好的导电性能。
  6. Vgs(th):在所需漏极电流为 250 μA 的情况下,栅源阈值电压最大为 3V,确保了快速导通并降低功耗。
  7. 栅极电荷(Qg):在 10V 栅极驱动下,最大栅极电荷为 14nC,这意味着在开关频率较高的应用中可以获得快速响应特性。
  8. 输入电容(Ciss):在 30V 时最大输入电容为 708 pF,展现了对高频信号的良好适应能力。
  9. 功率耗散:最大功率耗散为 1.2W,确保在高负载条件下能够有效散热。
  10. 工作温度范围:-55°C 至 150°C,使其在极端环境下也能正常工作。

三、封装与安装

DMP6185SE-13 采用 SOT-223 封装,具有四个引脚,非常适合于表面贴装(SMT)技术。这种小巧的封装使得轻松集成于各种电路板中,提高了空间利用率,适合现代电子设备对小型化的需求。

四、应用领域

DMP6185SE-13 在多个领域中可发挥其优势,主要应用包括但不限于:

  1. 开关电源:适用于 DC-DC 转换器、LED 驱动电源等。
  2. 马达驱动:能够控制直流电动机及步进电机,提高驱动效率。
  3. 电源管理:用于高效的电源调节与分配。
  4. 音频放大器:在音频信号处理中,作为输出级增强器件。

五、优势分析

DMP6185SE-13 的优势主要在于以下几个方面:

  • 高效性:低导通电阻降低了电能损耗,提高了整体功率转换效率。
  • 热管理能力强:其设计允许较高的功率耗散,适合于高负载的应用。
  • 宽工作温度范围:确保了器件在高温和低温环境中的稳定性及可靠性。
  • 快速开关特性:较低的栅极电荷和阈值电压使得其能够适应高速开关应用,减少开关损耗。

六、结论

总之,DMP6185SE-13 是一款适应广泛应用的 P 沟道 MOSFET,具备卓越的电气性能、可靠的耐用性与精巧的设计,特别适合用于需要高效开关和电源管理的现代电子设备。无论是在工业、消费电子,还是汽车电子等领域,该产品都能提供稳定的性能与较长的使用寿命,是电子设计师和工程师的理想选择。