额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 80V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PMBTA06,215 产品概述
PMBTA06,215 是一款高性能的NPN型双极型晶体管(BJT),专为高频应用和电源输出设计。该产品的主要特点包括高集电电流、低饱和压降以及广泛的工作温度范围,使其适合于各种电子电路中,如开关电源、信号放大器和振荡器等。接下来将对该产品的关键参数、应用场合及其优势进行详细的介绍。
额定功率和电流: PMBTA06,215具有250mW的额定功率,最大集电极电流为500mA。这一规格能够满足多种消费电子和工业应用中对电源管理和信号处理的需求。
集射极击穿电压: 该产品的最大集射极击穿电压(Vce)为80V,这意味着它能够在较高电压的情况下稳定工作,增加了电路的耐用性和安全性。
饱和压降: 在不同的集电极电流(Ic)条件下,PMBTA06,215的Vce饱和压降(Vce(sat))最大值为250mV,适用于10mA和100mA的条件下。这种低饱和压降有助于提高功率效率,降低发热量,从而延长设备的使用寿命。
DC电流增益: 该晶体管的直流电流增益(hFE)在100mA和1V的条件下的最低值为100,确保在信号放大和开关操作中可以提供稳定的增益。
高频性能: PMBTA06,215的跃迁频率为100MHz,使其适用于高频通信和信号处理电路,能够满足快速开关应用的要求。
工作温度范围: 该元件的工作温度可高达150°C(TJ),特别适用于在高温环境中工作的设备,增强了其在恶劣条件下的可靠性。
PMBTA06,215采用TO-236AB封装(也称为SOT-23),这是一种表面贴装型封装。其紧凑的设计使得在空间有限的PCB上安装变得更加方便。表面贴装技术(SMT)不仅提高了组装效率,还有助于降低生产成本。
PMBTA06,215广泛应用于多个领域,包括但不限于:
选择PMBTA06,215作为您的设计方案中的晶体管,您将获得以下优势:
总之,PMBTA06,215是一款功能强大且灵活多用的NPN型晶体管,适合用于多种电子应用场合。其卓越的性能和可靠性使其在市场中具备竞争力,是电子工程师们值得信赖的选择。