PESD1LIN,115
PESD1LIN,115参数
| 极性 | Unidirectional | 峰值脉冲电流（10/1000us） | 3A (8/20us) |
| 箝位电压 | 44V @ 5A | 击穿电压（最小值） | 17.1V |
| 反向关断电压（典型值） | 15V (Max) | 类型 | 齐纳 |
| 双向通道 | 1 | 电压 - 反向断态（典型值） | 15V（最大），24V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值） | 17.1V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 44V，70V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 3A（8/20µs） | 功率 - 峰值脉冲 | 160W |
| 电源线路保护 | 无 | 应用 | 汽车级 |
| 不同频率时电容 | 13pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
PESD1LIN,115手册
PESD1LIN,115概述
PESD1LIN,115 产品概述
PESD1LIN,115 是由知名半导体制造商 Nexperia（安世）推出的一款高性能瞬态抑制二极管（TVS Diode），该元器件主要用于保护敏感电子组件免受高电压瞬态冲击的损害。其在汽车级应用中表现优异，满足了当今市场对于高可靠性和高效能电路保护元件的迫切需求。
主要特性
峰值脉冲电流： PESD1LIN,115 能够承受高达 3A 的峰值脉冲电流（按照 10/1000 µs 的波形标准），在 8/20 µs 的波形下具有同样的承载能力。这使得其在瞬态条件下的保护能力非常强大，适用于各种快速冲击条件下的电路保护。
箝位电压： 该器件的箝位电压可达到 44V @ 5A，以及在不同的脉冲电流条件下可达到最高 70V。这意味着在发生过电压事件时，PESD1LIN,115 能够快速将电压限制在安全范围内，确保下游电路不受损害。
击穿电压和反向电压： 该二极管的最小击穿电压为 17.1V，并且反向关断电压的典型值为 15V（最大），使其能够有效隔离和保护电路在正常工作条件下的稳定性。
频率特性： 在 1MHz 的频率下，PESD1LIN,115 的电容值为 13pF，显示出其良好的高频特性，适用于高速信号线路中的电压抑制，这对于现代通信和汽车电子环境尤为重要。
广泛的工作温度范围： PESD1LIN,115 的工作温度范围为 -65°C 至 150°C，使其适用范围非常广泛，典型于汽车电子领域以及其他需要环境适应性的应用。
安装类型和封装： 该器件采用表面贴装型设计，封装形式为 SOD-323，满足现代电子产品对空间的节约和装配的便利性。紧凑的封装有助于提高电路的集成度，尤其是在体积受限的场合。
应用领域
PESD1LIN,115 被广泛应用于汽车电子、通信设备、消费电子及工业自动化等领域。在汽车电磁干扰（EMI）较强的环境中，这款二极管能够有效抑制电压尖峰，保护车载控制模块、传感器和其他敏感电子元器件。其次，在移动设备与通讯网络中，PESD1LIN,115 也体现出其高效的电压保护性能，能够延长设备使用寿命，降低维护成本。
总结
PESD1LIN,115 的推出，标志着 Nexperia 在瞬态电压抑制技术上的先进水平。其独特的设计和强大的电气特性使得 PESD1LIN,115 成为现代高科技产品中不可或缺的电压保护元件。无论是在设计新产品还是对现有设备进行电路保护，选择 PESD1LIN,115 都是降低设备故障、延长产品寿命的明智之举。通过实施这一高效的保护方案，用户能够更好地应对复杂多变的电气环境，以及潜在的电路损坏风险。