额定功率 | 300mW | 集电极电流Ic | 200mA |
集射极击穿电压Vce | 40V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA |
安装类型 | 表面贴装型 | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 功率 - 最大值 | 300mW |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
MMBT3904LT1G是一款高性能的NPN型双极性晶体管(BJT),由知名半导体厂商安森美(ON Semiconductor)出品。该晶体管凭借其优异的电性能和宽范围的工作温度,广泛应用于各种电子设备和电路中,包括放大器、开关电路和信号处理等场合。
额定功率与性能:
集射极击穿电压:
直流电流增益(hFE):
饱和压降:
频率特性:
工作温度范围:
封装类型: MMBT3904LT1G采用表面贴装型封装,规格为SOT-23-3(TO-236),其小巧的体积适合密集设计的电路板应用,优化空间利用率,并简化了自动化贴装过程。
安装方式: 该晶体管专为表面贴装技术(SMT)设计,利于提高生产效率并降低系统成本。
借助其广泛的电气性能和环境适应能力,MMBT3904LT1G在多个领域都有着广泛的应用。
移动通信设备:
计算机与外围设备:
工业控制系统:
消费电子:
综上所述,MMBT3904LT1G是一款在工作稳定性、功率处理、频率性能等方面均表现出色的NPN晶体管,适应性广泛且灵活。它适合于各种高频及高效能要求的应用场合,特别是在现代电子设备快速发展的趋势下,MMBT3904LT1G凭借其出色的电气特性及紧凑的SOT-23封装,成为了设计工程师在选择三极管时值得信赖的选择之一。无论是在严苛的工业环境中,还是在日常使用的消费类产品中,MMBT3904LT1G都将展现其卓越性能,为最终用户提供出色的使用体验。