2N7002BKW,115
2N7002BKW,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 310mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.6Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 275mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 310mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .6nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 275mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
2N7002BKW,115手册
2N7002BKW,115概述
2N7002BKW,115 产品概述
产品概述
2N7002BKW,115 是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），专为各种低功率和高效能的电子应用设计。其封装形式为SOT-323，使其适用于表面贴装技术（SMT），能够满足紧凑设计和高密度电路板布局的需求。2N7002BKW,115 拥有出色的电气性能和高温稳定性，广泛应用于开关电源、模拟开关、驱动电路及其他需要高效开关控制的场合。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id，25°C 下）: 310mA
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 2.1V (@ 250µA)
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.6Ω (@ 500mA, Vgs = 10V)
- 最大功率耗散: 275mW (@ Ta = 25°C)
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 封装类型: SOT-323
应用场景
2N7002BKW,115 可广泛应用于电子设备中，尤其是那些对功率管理和散热要求较高的场合。具体应用包括：
开关电源: 其较高的Vdss和Id额定值使其适合用于高效开关电源的设计，提供了优异的开关特性。
负载开关: 由于其低Rds(on)，在负载开关应用中可有效降低功耗，并提升电路的整体效率。
模拟开关: 可用于音频信号的切换和选择，确保信号路径的完整性，并降低信号失真。
驱动电路: 适用于驱动LED、继电器和其他负载，具有快速开关能力，能够实现高效的控制。
性能特点
该器件具有较低的栅极电荷（Qg = 6nC @ 4.5V），使其在高速开关应用中表现优异，确保了更快的开关速度和更好的系统响应。同时，其输入电容（Ciss = 50pF @ 10V）的特性，使得2N7002BKW,115 能在驱动不同难度的负载时保持稳定的开关性能。
热管理与可靠性
2N7002BKW,115 的最大功率耗散为275mW，能够在相对较高的工作温度下安全运行。其工作温度范围从-55°C到+150°C，提供了良好的环境适应性和长时间的可靠运行。这些特性使其非常适合在恶劣环境和高温条件下的应用。
设计考虑
在设计电路时，需要考虑到MOSFET的驱动电压以及栅源电压（Vgs），确保在其阈值电压之上工作以维持其开关状态。对于过电压保护和电流限制的设计也应予以重视，以防止因突发的高电压或过流导致的器件损坏。
结论
整体而言，2N7002BKW,115 是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，具有出色的电气性能和适应性。无论是在家用电器、工业设备还是消费电子产品中，2N7002BKW,115 都能提供稳定且高效的性能，是诸多电路设计中不可或缺的器件选择。若需选型或咨询更多应用细节，建议联系专业的电子元器件供应商以获得最佳的方案支持。