DMP4013LFG-7
DMP4013LFG-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10.3A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 13mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 68.6nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3426pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP4013LFG-7手册
DMP4013LFG-7概述
产品概述：DMP4013LFG-7
DMP4013LFG-7是一款由DIODES（美台）公司制造的高性能P沟道MOSFET，广泛应用于低功耗电源管理和各种开关应用中。该器件的封装形式为PowerDI3333-8，这种表面贴装型外壳设计具有良好的热管理特性和较小的占板面积，适合密集型电路设计。
主要参数
在基础参数方面，DMP4013LFG-7的漏源电压（Vdss）为40V，连续漏极电流（Id）可达10.3A（在25°C环境温度下），同时它的漏源导通电阻（Rds(on)）为13毫欧（在10A、10V条件下），使得该MOSFET在高电流应用中具有优越的导电性能。此外，栅源极阈值电压（Vgs(th)）为3V @ 250µA，提供了良好的驱动效率。该器件能够在多种工作条件下稳定运行，尤其在需要快速开关和高效率的电源管理系统中表现突出。
功率和热特性
DMP4013LFG-7的最大功率耗散为1W（在环境温度为25°C时）。该特性使其适用于需要在特定温度范围内稳定工作的应用。工作温度范围可达-55°C到150°C，确保该MOSFET在各种极端环境下都能保持可靠的性能。这一广泛的工作温度范围使其非常适合航空航天、汽车和工业控制等要求严格的应用场合。
驱动特性
DMP4013LFG-7在驱动电压方面表现良好，最大Rds(on)在4.5V和10V下均能实现高效工作。而且，器件的栅极电荷（Qg）最大值为68.6nC @ 10V，表示在开关操作时的驱动效率较高，能够进一步减少开关损耗。这对提升电路整体效率，减少发热，延长系统寿命都是有利的特点。
电容参数
在输入电容（Ciss）方面，该器件最大值为3426pF @ 20V，低输入电容有助于提高开关速度，使其在快速脉冲开关应用中表现良好。同时，较低的输入电容使得DMP4013LFG-7能够与低驱动电流的控制电路兼容，为设计师在选择驱动电路时提供了更多灵活性。
应用场景
DMP4013LFG-7适合广泛的应用，包括但不限于：
- DC-DC转换器：作为功率开关来实现高效的电能转换。
- 电机控制：在电机驱动电路中用作开关元件，以提高系统的效率。
- 电源管理：在各种电子设备中作为开关或线性调节器的关键元件来优化能耗。
- 汽车电子：用于车载设备的电源管理模块，以降低功耗和提高效率。
总结
综上所述，DMP4013LFG-7是一款性能卓越的P沟道MOSFET，其优越的电气参数、广泛的工作温度范围以及良好的热特性使其在需要高效能的电源管理及开关应用中成为理想选择。作为一款由DIODES公司出品的产品，DMP4013LFG-7不仅保证了高质量和高可靠性，还有助于设计师在开发新一代高性能电子产品时提供了有力的支持。这一器件无疑为轻量化、高效率的现代电子设计注入了新的动力。