DMP6023LE-13
DMP6023LE-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 28mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Ta）， 18.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 53.1nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2569pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
DMP6023LE-13手册
DMP6023LE-13概述
DMP6023LE-13 产品概述
概述
DMP6023LE-13 是一款高性能 P 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高效能驱动和开关应用而设计。其主要特点包括漏源电压（Vdss）高达 60V，连续漏极电流（Id）为 7A（在 25°C 条件下），以及超低的漏源导通电阻 (Rds(on)) 达到 28mΩ（在 5A 和 10V 条件下）。该器件采用表面贴装型 SOT-223 封装，便于在各种电子设备中部署，尤其是在对空间有严格要求的设计中。
技术规格
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 7A（在 25°C 下），18.2A（在 Tc 下）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 28mΩ @ 5A, 10V
- 最大功率耗散: 2W（Ta = 25°C）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 栅极电压 (Vgs): ±20V
- 不同 Id、Vgs 下导通电阻 (Rds(on)): 28mΩ @ 5A, 10V
- 输入电容 (Ciss): 2569pF @ 30V
- 栅极电荷 (Qg): 53.1nC @ 10V
- 封装类型: SOT-223
应用场景
DMP6023LE-13 适用于多种电子设备，可广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源及其他高功率应用。由于其出色的电流承载能力和低导通电阻，该器件在需要高效率和低热量生成的场合表现尤为突出。
- 电源管理: 其高电压和电流规格使得 DMP6023LE-13 可以有效地处理电源管理中的高负载应用，如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。
- 电机驱动: 在电机控制应用中，低 Rds(on) 特性可显著降低能量损耗，提高系统效率。
- 开关电源: 被广泛用于开关电源设计，能够实现高效的转换并易于与其他元件搭配使用。
性能特点
DMP6023LE-13 的 P 通道配置使其在负载断开时可以通过施加较低的栅极电压有效地控制漏极和源极之间的开关状态。其较高的 Vgs(th) 和 Rds(on) 特性确保在不同操作条件下稳定的性能输出。高速的开关能力及良好的封装设计使其在频繁开关操作条件下也能维持有效工作。
该器件的输入电容较低，意味着其在高频操作中能够更快速地响应栅极驱动信号，从而提供出色的线性度和效率。此外，其额定的工作温度范围 (-55°C 到 150°C) 使其能够适应严苛的环境条件，适于高温和低温环境下的应用。
封装信息
DMP6023LE-13 采用 SOT-223 封装，这种小型化的封装不仅有助于节省电路板空间，还提供了良好的热管理特性。SOT-223 封装的设计使得即使在高功率输出下，也能有效导热，保证 MOSFET 的安全可靠工作。
结论
总之，DMP6023LE-13 是一款优秀的 P 沟道 MOSFET，凭借其高电流承载能力、低导通电阻及优异的热特性，非常适合用于高效能的电源管理和驱动应用。无论是对温度、功率还是空间有严格要求的设计项目，这款器件都能提供可靠的解决方案，是众多电子工程师和设计师非常值得信赖的元件选择。