DMG1013T-7

DMG1013T-7 产品概述

产品简介

DMG1013T-7 是一种高性能P沟道MOSFET（场效应管），专为需要低导通电阻和良好开关特性的应用设计。其额定漏源电压（Vdss）为20V，能够承受高达460mA的连续漏极电流（Id），在广泛的工作条件下表现出色，适合用于开关电源、负载开关和其他低电压应用。该器件采用了SOT-523封装，尺寸小巧，非常适合需求空间受限的电路设计。

关键特性

1. 电气参数

   • 漏源电压（Vdss）: 20V，适用于低压电源电路。
   • 连续漏极电流（Id）: 460mA (25°C时)，确保器件在长时间工作下的稳定性与可靠性。
   • 最大功率耗散: 270mW (Ta=25°C)，保证了其在不同环境条件下的安全操作。
   • 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA，允许使用较低的栅极驱动电压从而在多种控制电路中应用。

2. 导通特性

   • 漏源导通电阻（Rds(on)）: 700mΩ @ 350mA, 4.5V，提供较低的导通损耗，提升功率转换效率。
   • 驱动电压范围广: 1.8V至4.5V，使其适用于多种控制逻辑。

3. 换能特性

   • 栅极电荷（Qg）: 0.622nC @ 4.5V，表现出较高的开关速度和较小的驱动功耗。
   • 输入电容（Ciss）: 59.76pF @ 16V，允许快速的信号响应，适合高速开关应用。

4. 工作环境

   • 工作温度范围: -55°C至150°C，适合于恶劣环境下的应用需求。
   • Vgs（最大值）为±6V，提供额外的安全裕度，以防过压情况。

应用场景

DMG1013T-7适用于多种行业，包括但不限于：

• 开关电源（SWITCHING POWER SUPPLIES）: 利用其低导通电阻和高效率特性，减少能量损耗，提高电源的整体性能。
• 负载开关: 在电源管理电路中作为负载开关，可有效控制电源的开与关，延长电池使用寿命并提升设备的可靠性。
• 电源管理集成电路（PMIC）: 在各种PMIC中使能或禁用功能模块，确保模块在不需要时处于低功耗状态。
• 继电器替代产品: 使用MOSFET替代传统的机械继电器，从而实现更快的开关速度和更高的可靠性。

封装与兼容性

DMG1013T-7采用SOT-523封装，这种封装形式不仅提供了良好的散热性能，而且占用空间小，适合于高密度PCB设计。它在现代电子电路中的广泛应用，确保了与其他主流元件的兼容性，便于替换和整合。

总结

作为一款高效能的P沟道MOSFET，DMG1013T-7在电气特性、功率耗散和环境适应性上表现优异，是现代电子设备中不可或缺的电子元器件。无论是在工业、消费类电子还是汽车电子中，它的多样化应用均能有效提高产品的可靠性和性能，充分发挥其功能，使设计工程师在实现高效能电路时有更多选择。