反向恢复时间(trr) | 50ns | 直流反向耐压(Vr) | 300V |
平均整流电流(Io) | 225mA | 正向压降(Vf) | 1.25V @ 200mA |
二极管配置 | 1 对串联 | 二极管类型 | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 300V | 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 225mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 200mA | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 50ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 240V |
工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
MMBD3004S-7-F是一款由DIODES(美台)公司生产的高性能开关二极管,专为需要快速反向恢复和高耐压的应用设计。它采用SOT-23封装,适用于表面贴装技术(SMT),在占用空间方面表现出色,使其成为紧凑型电路设计的理想选择。该二极管的关键参数保证了其在各种电子设备中的可靠性和有效性,包括消费电子、工业设备和电信系统。
反向恢复时间(trr):该二极管的反向恢复时间为50纳秒,这一快速恢复特性使其非常适合高频开关应用,能够在短时间内迅速切换状态,从而提高电路的整体工作效率。
直流反向耐压(Vr):MMBD3004S-7-F具有高达300V的直流反向耐压,能够承受较高电压环境,确保在电源波动或瞬态过电压下的安全运行。
平均整流电流(Io):该二极管设计的平均整流电流为225mA,适用于许多中等功率应用,能够有效处理负载电流,满足不同电流需求的应用场景。
正向压降(Vf):在200mA的正向电流下,其正向压降为1.25V,该参数在功率损耗方面表现优秀,适合高效能的电源管理。
反向泄漏电流:在240V的电压下,反向泄漏电流仅为100nA,表明其对反向电压的高度稳定性,有效降低了能量损耗以及产生的热量。
工作温度范围:该器件的结温工作范围为-65°C至150°C,能够在广泛的极端环境条件下正常工作,增强了其适用性和可靠性。
封装和安装方面:采用SOT-23封装,体积小巧,非常适合现代电子装置对空间和集成度的严格要求。其表面贴装型设计便于自动化焊接和高效生产。
MMBD3004S-7-F在多个应用领域展现出强大的适应能力,包括但不限于:
MMBD3004S-7-F是一款真实的技术先进的开关二极管,凭借其出色的电气性能和设计优势,适合各类现代电子设备的应用需求。无论是在严苛的工业环境,还是在灵活的消费电子产品中,MMBD3004S-7-F都能为设计师提供高效、可靠的解决方案,助力电子工程师构建更加高效和环保的电路系统。选择MMBD3004S-7-F,即是选择性能与稳定性的最佳平衡。