IRFB5615PBF
IRFB5615PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 39mΩ @ 21A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 144W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 21A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1750pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 144W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB5615PBF手册
IRFB5615PBF概述
IRFB5615PBF 产品概述
概述
IRFB5615PBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。这款 MOSFET 的设计目标是提供高效率、低导通电阻和出色的功率处理能力，广泛应用于工业、消费电子及电动汽车等领域。
主要技术参数
- 漏源电压（Vdss）： 150V
- 连续漏极电流（Id）： 35A（在 25°C 条件下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 5V @ 100µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 39mΩ @ 21A, 10V
- 最大功率耗散（Pd）： 144W (在 Tc=25°C)
- 工作温度范围： -55°C 至 175°C
这款 MOSFET 的额定漏源电压为 150V，使其适用于高电压应用。其 35A 的连续漏极电流能力提供了充足的电流处理能力，非常适合高功率电路。此外，具有较低的导通电阻（Rds(on)）39mΩ，可以显著降低功耗和热量产生。
封装与安装
IRFB5615PBF 采用 TO-220AB 封装，这种封装样式在实际应用中具有很好的散热效果和可靠的机械强度，适合于高功率和高温环境下的使用。TO-220 的设计也便于安装到各种散热器上，进一步增强了其热管理能力。
性能优势
高效能： 低导通电阻和较高的功率耗散能力使得 IRFB5615PBF 在功率转换和放大应用中表现出色，能够有效减少能量损失和发热。
宽工作温度范围： -55°C 至 175°C 的广泛工作温度范围，使得该器件适用于极端环境，在航空航天、汽车和工业设备等应用中都能保持可靠性能。
强大的驱动能力： 栅极电荷 (Qg) 为 40nC @ 10V，使得 IRFB5615PBF 能够在快速开关应用中提供良好的性能，有助于提高整体电路效率。
应用领域
IRFB5615PBF 的设计使其适用于多个应用领域，其中包括但不限于：
- 开关电源：高频开关电源及其它电源转换器件，如 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。
- 电流驱动电路：如电动机驱动、伺服控制和自动化设备。
- 电动汽车：作为功率开关用于电动汽车的驱动系统及充电系统。
- 白色家电：如洗衣机、冰箱等家电产品的控制系统中。
结论
作为一款综合性能优异的 N 沟道 MOSFET，IRFB5615PBF 以其高漏源电压、低导通电阻及出色的功率耗散能力，成为许多电源和驱动应用的理想选择。工程师们可以依赖其在恶劣环境下的稳定性和出色的热管理能力，为各种电子设备的高效运作提供支持。无论是在消费电子、工业控制还是电动汽车等领域，IRFB5615PBF 都显示出极高的应用价值和广泛的适应能力。