DMN65D8L-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 370mW 60V 310mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
30812(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.534按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.534
--
200+
￥0.179
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1500+
￥0.111
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3000+
￥0.0768
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN65D8L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 310mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3Ω @ 115mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 370mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 310mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 115mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .87nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 370mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN65D8L-7手册
DMN65D8L-7概述
DMN65D8L-7 产品概述
一、产品简介
DMN65D8L-7 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有优异的电气性能和多种应用场景。封装采用 SOT-23 型，适合于表面贴装（SMD）技术，便于在密集的电路设计中使用。该器件主要面向低功耗电源管理、开关电源、DC-DC 转换器等需求方市场。
二、基本参数
漏源电压 (V_dss): 60V
- 该器件可在高达 60V 的漏源电压下运行，适用于多种中低压应用。
连续漏极电流 (I_d): 310mA（25°C）
- 在 25°C 的环境温度下，该 MOSFET 能够承受最高 310mA 的连续漏极电流，为电源转换应用提供稳定的工作条件。
栅源极阈值电压 (V_gs(th)): 2V @ 250µA
- 该阈值电压较低，使得该 MOSFET 可以在较低的驱动电压下实现导通，提高了电路设计的灵活性。
漏源导通电阻 (R_ds(on)): 3Ω @ 115mA, 10V
- 其导通电阻在额定电流条件下表现良好，确保在导通状态下的功耗较低，有助于提高整体效率。
最大功率耗散: 370mW (Ta = 25°C)
- 该参数表明在额定温度条件下，器件能够处理最高 370mW 的功率，为散热设计提供了依据。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 该 MOSFET 的工作温度范围广泛，适合高温和低温环境，适用于多种极端环境下的应用。
三、封装与安装
DMN65D8L-7 采用 SOT-23 封装（TO-236-3、SC-59），这种封装形式对于表面贴装技术非常友好，具有体积小、重量轻的优点，适合现代电子产品的紧凑设计需求。其小型化的特性使得它在空间受限的应用场景中表现优良。
四、应用场景
DMN65D8L-7 适用于以下几个主要领域：
- 电源管理: 该器件可广泛应用于 DC-DC 转换器、线性调节器等电源管理方案，为电路提供稳定高效的电源解决方案。
- 开关电源: 其高效的导通特性使其在开关电源系统中表现优越，有助于提高转换效率，降低系统功耗。
- 电机驱动: 在小型电机控制和驱动电路中，该 MOSFET 的高电流承载能力和快速开关特性能够有效驱动负载。
- 自动化和控制系统: 可用于控制模块中开和关，适应于自动化控制中随着时间变化的需要。
五、优点与特性
- 高效能: 低导通电阻和高漏源电压能力使得 DMN65D8L-7 在运行过程中损耗更低，整体效率更高。
- 响应速度快: 低栅极电荷量（Q_g = 0.87nC @ 10V）带来的快速开关能力，显著提升了 Switching 频率的响应速度。
- 高温稳定性: 宽广的工作温度范围使其能够在各种复杂环境中可靠工作，提高了应用的灵活性。
- 易于集成: SOT-23 封装设计满足了现代电子设计的紧凑性要求，方便与其他元器件集成。
六、总结
DMN65D8L-7 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，凭借出色的电气特性和广泛的应用潜力，已成为电源管理和开关电源领域的理想选择。它的高效能、快速响应和环境适应能力使其在现代电子产品设计中发挥了不可或缺的作用。