晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 250 @ 100mA,1V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
SBC807-40LT1G 是一款高性能的PNP型三极管,广泛应用于低功耗电子设备的信号放大和开关电路中。它由著名的ON(安森美)半导体公司制造,采用SOT-23-3(TO-236)封装,具有紧凑的尺寸和高效的性能表现。其能够承受高达500mA的集电极电流及45V的集射极击穿电压,使其成为多种高频和低电压应用的理想选择。
SBC807-40LT1G的核心参数包括:
SBC807-40LT1G适用于广泛的电子应用场景:
SBC807-40LT1G采用SOT-23封装,具有以下优势:
总而言之,SBC807-40LT1G是一个高性能、功能强大而又灵活的PNP晶体管,凭借其良好的电流增益、宽广的工作温度范围以及高效的饱和特性,在很多电子电路中都能发挥重要作用。不论是应用于消费电子、工业设备还是汽车电子,该三极管均表现出色,是满足各种设计要求的理想选择。配合ON(安森美)卓越的品牌声誉,SBC807-40LT1G无疑是寻找可靠和高效元器件设计师的首选。