制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 300mA,3A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 1A,1V | 频率 - 跃迁 | 160MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
功率 - 最大值 | 2W | 基本产品编号 | NJT4030 |
NJT4030PT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款高性能 PNP型双极性晶体管 (BJT),其设计能够满足各种电子电路需求。该器件采用了SOT-223的封装形式,适合表面贴装,尤其适用于空间受限但需要高电流密度的应用场景。凭借其优异的电气特性,NJT4030PT1G 在现代电子设备中的应用非常广泛,包括但不限于开关电源、放大器设计、信号处理以及驱动电路。
高电流和低饱和压降: NJT4030PT1G 的最大集电极电流为 3A,适合在需要大电流驱动的负载中使用。其在较高电流下的饱和压降仅为500mV,确保了在快速开关操作时能够有效降低功耗并提高电路效率。
宽工作温度范围: 该晶体管的工作温度范围从-55°C到150°C,适合于恶劣环境和高温应用,使得其能够在工业、军事和汽车等领域中有着广泛的应用。
出色的电流增益: NJT4030PT1G 在 1A 时最低电流增益达到 200,这意味着在小信号输入的情况下能够产生较大幅度的输出,有效增强信号功率,满足音频和开关信号应用的需求。
高频特性: 频率跃迁高达160MHz,使其在高频开关及射频应用中表现出良好的性能,满足高性能射频电路设计的要求。
由于其优异的电性和广泛的工作范围,NJT4030PT1G 被广泛应用于以下领域:
NJT4030PT1G 三极管凭借其高电流、低饱和压降、高频特性和宽工作温度范围,成为现代电子设备和电路设计中不可或缺的关键元件。其在多种应用中的表现出色,使其在功率放大、信号处理及驱动电路等领域中广受欢迎。工程师和设计师们在选择高效能、可靠性的元器件时,NJT4030PT1G 将是一个非常优质的选择。