IPD12CN10NGATMA1 产品实物图片
IPD12CN10NGATMA1 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IPD12CN10NGATMA1

商品编码: BM0093053327
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 125W 100V 67A 1个N沟道 TO-252-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
21
按整 :
管(1管有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥21
--
100+
¥19.09
--
1250+
¥18.53
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

IPD12CN10NGATMA1参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)67A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12.4 毫欧 @ 67A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 83µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)65nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4320pF @ 50V
功率耗散(最大值)125W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

IPD12CN10NGATMA1手册

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IPD12CN10NGATMA1概述

产品概述:IPD12CN10NGATMA1

概述 IPD12CN10NGATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)公司制造的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。这款 MOSFET 适用于各种高功率和高电压的应用领域,如电源管理、马达驱动、汽车电子等。其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,使其成为现代电子设计中的理想选择。

主要技术参数

  1. FET 类型:N 通道
  2. 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  3. 漏源电压(Vdss):最大工作电压为 100V,适用于高电压应用。
  4. 连续漏极电流(Id):在 25°C 的情况下,最多可承载 67A 的电流,为高功率应用提供了灵活性。
  5. 导通电阻(Rds On):在 10V 驱动电压下,67A 条件下最大导通电阻为 12.4 毫欧,可有效降低导通损耗。
  6. 栅极阈值电压(Vgs(th)):在 83µA 流量下最大阈值电压为 4V,确保在一定电压下导通。
  7. 栅极电荷(Qg):针对 10V Vgs,最佳的栅极电荷为 65nC,有助于提升开关速度,适合高频开关应用。
  8. 栅极源电压(Vgs)最大值:±20V,确保安全工作范围内的操作。
  9. 输入电容(Ciss):在 50V 时最大输入电容为 4320pF,适用于快速开关场合。
  10. 功率耗散(Pd):最大功率耗散为 125W,提供强大的热管理能力。
  11. 工作温度:该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适合恶劣环境下的应用。
  12. 封装类型:采用表面贴装型 TO-252-3 (DPAK) 封装,便于自动化焊接和高密度布线。

应用场景 由于其高电压和电流能力,IPD12CN10NGATMA1 MOSFET 适用的应用场景非常广泛:

  • 电源转换器:在开关电源(SMPS)中,可以用作开关元件,有助于提高电源的效率与稳定性。
  • 马达驱动:适于驱动直流电机或步进电机,使其易于实现高效率和精准控制。
  • 汽车电子:在汽车应用中,如电池管理系统和动力转换系统,能满足对高温和高可靠性组件的需求。
  • 逆变器:在光伏逆变器和风能逆变器中提供高效的电力转换。

总结 IPD12CN10NGATMA1 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,使其成为高级电源管理和马达驱动应用的理想选择。其低导通电阻和高功率处理能力将为设计师提供灵活性与可靠性,以应对各种挑战。无论是在工业设备还是汽车电子中,IPD12CN10NGATMA1 都能为现代电子设计提供不可或缺的支持。