FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 67A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12.4 毫欧 @ 67A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 83µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 65nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4320pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 125W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
概述 IPD12CN10NGATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)公司制造的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。这款 MOSFET 适用于各种高功率和高电压的应用领域,如电源管理、马达驱动、汽车电子等。其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,使其成为现代电子设计中的理想选择。
主要技术参数
应用场景 由于其高电压和电流能力,IPD12CN10NGATMA1 MOSFET 适用的应用场景非常广泛:
总结 IPD12CN10NGATMA1 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,使其成为高级电源管理和马达驱动应用的理想选择。其低导通电阻和高功率处理能力将为设计师提供灵活性与可靠性,以应对各种挑战。无论是在工业设备还是汽车电子中,IPD12CN10NGATMA1 都能为现代电子设计提供不可或缺的支持。