制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 250 @ 100mA,1V | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 25V |
功率 - 最大值 | 225mW | 基本产品编号 | BC818 |
制造商:ON Semiconductor
产品类型:三极管(BJT)
封装:SOT-23-3(TO-236)
零件状态:有源
封装形式:卷带(TR)包装,适合表面贴装应用
BC818-40LT1G 是一种高性能的NPN型三极管,设计用于多种电子设备的开关和放大应用,尤其适合于在要求较低功率和高增益的场合中工作。它具有以下显著特点:
高电流增益:在Ic = 100mA和Vce = 1V时,BC818的直流电流增益(hFE)最小可达到250,这使其适合用作信号放大器。
高频响应:该组件在高达100MHz的频率下工作,适合用于高频应用,如射频(RF)放大器和无线通信设备。
集电极最大电流:BC818支持最大集电极电流(Ic)为500mA,适用于驱动负载和开关应用。
低饱和电压:当Ic为50mA或500mA时,Vce饱和压降最大值分别为700mV和500mV,体现了良好的开关特性。
高击穿电压:该元件的集射极击穿电压(Vce(max))为25V,在很多应用中可以提供足够的电压余量,以保证器件的稳定性和可靠性。
宽温度范围:BC818 能够在-55°C至150°C的温度范围内正常工作,适合在各种环境条件下使用。
低集电极电流截止:其最大集电极截止电流(ICBO)为100nA,显示出良好的漏电特性。
BC818-40LT1G 可广泛应用于多种电子电路中,主要包括:
音频放大器:由于其高电流增益和低噪声特性,BC818非常适合用于音频信号的放大。
开关电路:在各种自动化系统和开关电路中,使用BC818作为开关元件,可以有效驱动负载。
无线通信设备:其高频响应和增益特性使其适用于射频放大器,帮助提高信号的传输质量。
信号调节:在传感器和其他电子设备中,BC818可以用来调节和放大微弱信号。
在设计使用BC818时,建议考虑以下几点:
散热管理:虽然其最大功率为225mW,但在高环境温度或高负载条件下,仍需注意散热设计,以防止器件过热。
电源设计:确保所选电源能够提供所需电流,并考虑到器件的击穿电压,避免因超压而造成的损坏。
PCB布局:在进行表面贴装设计时,应合理布局,引脚尽量短且连线规范,以降低寄生电感和电阻,从而提高电路性能。
BC818-40LT1G作为ON Semiconductor推出的一款高性能NPN三极管,凭借其优秀的电流增益、频率响应和温度适应性,广泛应用于音频放大、开关及射频电路。其小巧的SOT-23-3封装使其在紧凑型电子应用中非常受欢迎。在设计中合理利用其特性,定能帮助工程师实现更高效、更可靠的电路解决方案。