制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 | 零件状态 | Digi-Key 停产 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 44 毫欧 @ 16A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 130W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
漏源电压(Vdss) | 100V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 71nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1960pF @ 25V |
IRF540NSPBF是由全球领先的半导体制造商Infineon Technologies生产的一款高性能N通道MOSFET。该器件属于HEXFET®系列,专为各种中高电压和电流应用而设计。它采用D2PAK封装,非常适合表面贴装(SMT)应用,具有出色的散热性能和可靠性。
IRF540NSPBF由于其高性能的特点,广泛应用于多个领域,包括:
IRF540NSPBF具备以下关键优势:
值得注意的是,IRF540NSPBF目前的零件状态为Digi-Key停产。客户在采购时需提前确认库存情况及供应链的可替代性。此外,考虑到产品在实际应用中的性能要求,建议仔细阅读数据手册,以确保其适用性。
总之,IRF540NSPBF是一个高效、高功率处理能力的N通道MOSFET,凭借其极具竞争力的规格和可靠的性能,广泛应用于电源管理、电机驱动等领域。其高温稳定性、低导通电阻及优良开关特性使得其在要求严苛的应用中表现出色。虽然目前该产品在市场上处于停产状态,但在合适的应用场合下,IRF540NSPBF仍然是理想的选择。