MMBZ5225BLT1G
MMBZ5225BLT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 29 Ohms | 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 3V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 功率 - 最大值 | 225mW |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50µA @ 1V | 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
MMBZ5225BLT1G手册
MMBZ5225BLT1G概述
MMBZ5225BLT1G 产品概述
一、产品简介
MMBZ5225BLT1G是一款高性能的稳压二极管，专为电子电路中的电压稳压应用而设计。它由安森美半导体（ON Semiconductor）制造，采用表面贴装型（SMD）封装，具备优异的温度稳定性及可靠性，适合在恶劣环境下使用。其标称齐纳电压为3V，容差为±5%，并且能够有效地抑制电压波动，保护下游电路的稳定性。
二、基本参数
- 齐纳电压(Vz): 3V
- 电压容差: ±5%
- 功率最大值: 225mW
- 最大阻抗(Zzt): 29 Ohms
- 反向泄漏电流: 50µA @ 1V
- 正向压降(Vf): 900mV @ 10mA
- 工作温度范围: -65°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23-3 (TO-236)
- 电流等级: 可对高达10mA的电流进行稳压
三、性能特点
优越的温度范围: MMBZ5225BLT1G可在-65°C到150°C的工作温度范围内稳定运行，这使其非常适合航空航天、军事及其他高要求应用中的使用。在这种极端温度环境下，其性能保持稳定，确保了电子电路的可靠性和安全性。
高精度电压: 该稳压二极管的齐纳电压为3V，具有±5%的电压容差，使其在大多数电压稳压应用中表现出良好的电压精度。这一点对设计师来说至关重要，因为它有助于避免因电压波动导致的电路故障。
低正向压降: MMBZ5225BLT1G具有900mV @ 10mA的低正向压降，这意味着在正向导通时它消耗的能量相对较低，能够提高系统的整体效率，尤其是在高频应用中具有优势。
小型封装: 采用SOT-23-3 (TO-236)的封装形式，MMBZ5225BLT1G的结构小巧，有利于节省电路板的空间，使其成为便携式设备和小型电子设备的理想选择。
低反向泄漏: 本产品在1V时的反向泄漏电流为50µA，这表明其在断开情况下具有较小的功耗，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
四、应用场景
MMBZ5225BLT1G广泛应用于各种电子设备中，特别是如下领域：
- 电源管理: 作为稳压元件，用于提供稳定的电压输出以保护下游组件。
- 信号调节: 能够在信号处理电路中稳定电压，确保信号质量。
- 便携式设备: 由于其小型化设计，适用于智能手机、平板电脑及其他移动设备的电源管理。
- 工业应用: 合适于设备的电压保护，确保各种工业自动化系统的稳定运行。
五、总结
总体来看，MMBZ5225BLT1G是一款高效、可靠且具有优良温度适应性和电压稳定性的稳压二极管。它不仅可以应用于多种电路设计，也是确保设备稳定、可靠性的重要组成部分。选择MMBZ5225BLT1G将有助于实现高性能的电源管理解决方案，满足现代电子设备对于稳压器件的需求。