NCV1413BDR2G 产品实物图片
NCV1413BDR2G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCV1413BDR2G

商品编码: BM0092122983
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOIC-16
包装 : 
编带
重量 : 
0.298g
描述 : 
达林顿晶体管阵列 七路 SOIC-16
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.4
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.4
--
100+
¥2.62
--
1250+
¥2.27
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

NCV1413BDR2G参数

制造商ON Semiconductor包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型7 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.6V @ 500µA,350mA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)1000 @ 350mA,2V
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳16-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)供应商器件封装16-SOIC
基本产品编号NCV1413

NCV1413BDR2G手册

empty-page
无数据

NCV1413BDR2G概述

NCV1413BDR2G 产品概述

一、产品简介

NCV1413BDR2G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的一款达林顿晶体管阵列,采用表面贴装型封装(SOIC-16),旨在满足高效率及高集成度需求。该产品提供七路 NPN 达林顿配置,使其广泛应用于需要高增益与低功耗驱动的电子设计中。这款元件的突出特点是其卓越的电流增益和高工作温度范围,适合多种工业和消费电子应用。

二、产品特点

  1. 高电流增益: NCV1413BDR2G 的 DC 电流增益 (hFE) 的最小值可达 1000,于 350mA 电流和 2V 集电极-发射极电压下进行测量。这使得它在驱动负载时,能够提供足够的功率,从而有效降低前级驱动电流需求。

  2. 强化负载驱动能力: 该晶体管阵列能够承受最大集电极电流(Ic)为 500mA,以及最大集射极击穿电压(Vce)的值为 50V。这种规格确保了 NCV1413 在严苛的工作环境下仍然能够可靠工作。

  3. 低饱和压降: NCV1413BDR2G 提供优异的饱和压降性能。在最大值为 1.6V 的条件下,其表现尤为突出,保证了高效的能量转换,降低了热量生成。

  4. 宽广的工作温度范围: 该产品在最高运行温度可达 150°C(TJ),适合高温环境下的应用, đảm bảo了其在各种环境条件下的可靠性和稳定性。

  5. 紧凑的封装设计: 采用 16-SOIC 封装,其外形尺寸为 3.90mm,适合于各种现代电子设备的空间受限设计要求。这种紧凑的设计不仅便于安装,而且有助于提高多个元件的集成度。

三、应用场景

由于其优异的性能和特性,NCV1413BDR2G 可广泛用于以下应用领域:

  1. 信号放大器:在音频和视频设备中,作为音频信号放大器的驱动部分,可有效提高信号的强度。

  2. 继电器驱动:可用作自动化设备中的继电器或电磁阀驱动,控制大电流的设备。

  3. 电机控制:在小型电机驱动电路中,NCV1413 具备出色的电流控制能力,是电机控制系统中的理想选择。

  4. LED驱动:能够通过高效的驱动电流管理,让 LED 在不同条件下保持稳定的亮度。

  5. 开关电源:在开关电源模块中,作为开关元件来提高能量转换效率。

四、总结

NCV1413BDR2G 作为一款高效、可靠的达林顿晶体管阵列,凭借其出色的电流增益、低饱和压降和宽工作温度范围,在多个电子产品中展现出了其优越性能。其紧凑的封装设计也进一步推动了电子产品的小型化发展,尤其适合现代电子产品中的高集成需求。无论在工业自动化、消费电子还是电力控制领域,NCV1413BDR2G 都能够成为设计工程师的一项重要资源。随着科技的不断进步,该产品将继续在新型应用中发挥其独特的价值。