IRFR420TRPBF
IRFR420TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 360pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-PAK（TO-252AA） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR420TRPBF手册
IRFR420TRPBF概述
IRFR420TRPBF 产品概述
概述
IRFR420TRPBF 是一款由全球知名半导体制造商英飞凌（Infineon）推出的高性能 N 通道 MOSFET，适用于各类电源管理及高频开关应用。此器件采用了先进的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，旨在提供高效率、低损耗的电力转换。这款 MOSFET 具备强大的电气性能，特别是在较高电压和电流条件下的表现，为设计工程师提供了更多的灵活性与可靠性。
基础参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）: 500V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.4A（在结温 Tc下）
- 驱动电压: 10V（最大 Rds On，最小 Rds On）
电气特性
IRFR420TRPBF 的一个显著特性是其高漏源电压（Vdss）达到了500V，这使得它非常适合用于需要高电压隔离的应用场景，如开关电源和逆变器等电力电子设备。该器件的最大连续漏极电流 (Id) 为 2.4A，可确保在正常工作条件下的稳定运行。
该 MOSFET 还具有较低的导通电阻（Rds On），在额定电流 1.4A 和 10V Vgs 条件下，最大值为 3 欧姆。这意味着在开启状态下电流损耗较低，提高了整体电能转换效率。同时，在 25°C 的工作环境下，其输入电容 (Ciss) 最大值为 360pF，能够快速响应开关信号，适合高频应用。
开关特性
IRFR420TRPBF 的栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 4V（在 250µA 的条件下），对于低功耗驱动电路设计者而言，非常友好。该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）在10V 时最大为 19nC，意味着其开关速度较快，有助于提升动态性能和响应速度，适合于快速开关应用程序。
功率耗散与散热
该器件的功率耗散能力较强，最大功率耗散为 2.5W（在环境温度 Ta 下）及 42W（在结温 Tc 下），适合于需要处理高功率的场合。在设计中使用此 MOSFET 时需根据实际应用环境规划合适的散热解决方案，以确保其性能的稳定性和可靠性。
工作温度与耐用性
IRFR420TRPBF 的工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，适合于许多严苛环境中的应用。此外，其封装方式为 D-PAK（TO-252AA），提供了良好的散热特性，便于表面贴装，适合于高密度电路板设计。
应用场景
由于 IRFR420TRPBF 的高电压能力、低导通电阻和良好的开关特性，它广泛应用于：
- 开关电源（SMPS）
- 功率转换器
- 电动机控制
- 电源管理模块
- 逆变器（如光伏逆变器、风力发电系统）
总结来说，IRFR420TRPBF 是一款高可靠性、高性能的 N 通道 MOSFET，适合各种严苛应用场景。凭借其优异的电气性能和良好的工作环境适应性，这款元器件将为现代高效电力电子设计提供强有力的支持。设计师可根据其特点，结合实际应用需求，充分发挥该器件的优势，实现设计目标。