功率(Pd) | 33.2W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 260mΩ@10V,8A | 漏源电压(Vdss) | 650V |
类型 | 1个N沟道 | 连续漏极电流(Id) | 15A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
产品名称及类型
NCE65T260F 是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),主要应用于电力电子和高频开关电源等领域。该器件具有出色的电气参数和可靠的热管理特性,适合在苛刻的工作环境中表现出优异的性能。
主要技术参数
额定功率:33.2W
NCE65T260F 能够承受高达33.2W的功耗,确保在各种负载条件下的高效运行。
最大承受电压(VDS):650V
其额定的漏源电压高达650V,使其能够在较高的电压环境下安全工作。这一特性使之适合用于高压电源、逆变器等应用。
最大漏电流(ID):15A
NCE65T260F 具有最大漏电流15A的能力,能够满足大多数工业和消费电子应用中较大的电流需求。
封装类型:TO-220F
该器件采用TO-220F封装,具有良好的散热性能和较大的接触面积,适合在高功率应用中使用。TO-220F的引脚配置也方便了与其他元器件的连接。
工作特点与优势
低导通阻抗(RDS(on)):NCE65T260F 具备较低的导通阻抗, 有助于降低导通过程中产生的热量,提高系统的效率。这一特性使得它在开关电源和其他高频应用中的表现极为出色。
快速开关特性:该场效应管具有快速的开关速率,能够在高频应用中提供更好的响应性能,从而提高转换效率并减少开关损耗。
热管理性能:由于其优良的封装设计和散热能力,NCE65T260F 可以在较高温度的工作环境下保持稳定的性能,尤其适用于高功率密度的应用场合。
应用领域
NCE65T260F 适用于多种领域,如:
市场前景
随着与能源有关的技术进步与节能减排政策的持续推动,NCE65T260F 这样的高效能MOSFET在市场上的需求日益增长。特别是在可再生能源、智能电网及电动交通领域,对高品质和高效率的电子元器件的需求将持续上升。因此,NCE65T260F 不仅能够满足当前市场的需求,也将在未来的电力电子行业中占据重要地位。
结论
NCE65T260F 作为新洁能推出的一款高性能N沟道MOSFET,具备高额定功率、优良的电气参数以及出色的热管理能力,能够广泛应用于各种电力电子领域。它的推出,无疑为实现更高效、更稳定的电子产品提供了极大的便利。