SISA88DN-T1-GE3

产品概述：SISA88DN-T1-GE3

一、基本介绍

SISA88DN-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）制造的高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），采用 PowerPAK® 1212-8 封装。凭借其优异的电气特性和强大的热管理能力，这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、马达驱动、电动工具和消费电子产品等领域，其高效的性能使其成为现代电子设计中不可或缺的核心元件。

二、关键参数

1. 漏源电压（Vdss）: SISA88DN-T1-GE3 的额定漏源电压为 30V，适合多种低到中等电压应用。
2. 漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，连续漏极电流可达 16.2A，在更高的环境温度下（Tc）可以实现最高 40.5A 的电流输出，使其适合高功率应用。
3. 导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅电压下，其导通电阻可达到 6.7 毫欧，这样的低导通电阻有效降低了功率损耗，使得器件在高电流条件下表现出色。
4. 驱动电压（Vgs）: 此器件可以在 4.5V 至 10V 的栅源电压下正常工作，满足多种驱动要求。同时，最大栅源电压 (+20V，-16V) 提供了良好的安全边际。
5. 功率耗散: 该 MOSFET 的最大功率耗散为 3.2W（在 25°C 时），在更高的工作温度下，最大可达 19.8W（在 Tc 下），保证了其在高负载情况下的热稳定性。
6. 工作温度范围: SISA88DN-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，为各种苛刻环境下的应用提供了可靠性。

三、电气特性

• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的漏电流下，Vgs(th) 的最大值为 2.4V，这意味着需施加极少的栅电压便可开启导电通道，使器件能在更低的电压下工作，提高了系统的能源效率。
• 输入电容 (Ciss): 在 15V 的漏源电压下，其输入电容值最大为 985pF，这一特性有助于提高开关速度和降低转换损耗。
• 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅电压下，其最大栅极电荷达到 25.5nC，较低的栅电荷使驱动电路设计简单，降低了对驱动器能力的需求。

四、封装与安装

SISA88DN-T1-GE3 采用 PowerPAK® 1212-8 表面贴装封装，具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合现代高密度电路板设计。此外，表面贴装形式使其在工业生产中易于自动化贴装，提高了制造效率。

五、应用场景

由于其优越的性能，SISA88DN-T1-GE3 特别适合于以下几种应用：

• 电源管理：在DC-DC 转换器、电池管理系统和开关电源中充当主开关，以改善能效和降低功耗。
• 马达驱动：用于电机控制电路，适合无刷电机、步进电机等应用。
• 消费电子：可用于各种电子消费品，提升产品性能及寿命。

六、总结

SISA88DN-T1-GE3 是一款性能卓越、高度可靠的 N 通道 MOSFET，适合各种电子设计中的高效应用。其在功率处理、热管理和小型化设计等方面的优势，使其成为满足现代电子设备需求的理想选择。通过有效利用这款器件，工程师们能够实现更高效、更经济的电路设计，推动创新的技术进步。