MMUN2111LT1G
MMUN2111LT1G参数
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 + 二极管 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 246mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
MMUN2111LT1G手册
MMUN2111LT1G概述
MMUN2111LT1G 产品概述
产品概述： MMUN2111LT1G 是一款高性能的 PNP 型数字晶体管，设计用于各种电子应用中，尤其适合高频开关电路和线性放大电路。这款晶体管由知名半导体制造商安森美（ON Semiconductor）出品，采用了广泛认可的 SOT-23-3（TO-236）封装，便于在紧凑设计中使用。
特点：
- 高电流处理能力： MMUN2111LT1G 最大集电极电流（Ic）可达 100mA，适合多种驱动负载的场合。
- 低饱和压降： 在多种工作条件下保持较低的 Vce（饱和压降），最大值为 250mV，这确保了电能的高效利用和器件发热的降低。
- 较强的电压耐受性： 集射极击穿电压（Vceo）高达 50V，使其在多种电源条件下能稳定工作，同时也能有效应对稍微超出额定值的电压干扰。
- 出色的直流电流增益（hFE）： 该晶体管在 5mA 的基极电流（Ib）和 10V 的集电极-基极电压下，提供至少 35 的电流增益，确保了信号的高效放大。
应用场景：
开关电路： MMUN2111LT1G 的特性使其适合于快速开关应用，能够在高频率下稳定工作。由于其低饱和电压，能够有效降低开关损耗，适用于各种信号驱动的电流开关应用。
信号放大： 因为其具备良好的增益特性，这款晶体管能够用于音频放大和其他小信号的增强。它适用于无线电频率 (RF) 放大器和音频放大器，能够清晰有效地放大信号。
信号调理和处理设备： 在需要集成蓝牙、Wi-Fi 模块等领域，MMUN2111LT1G 可用于信号调理电路，确保信号的完整性与可靠性。
传感器和检测电路： 无论是光敏元件还是温度传感器等，MMUN2111LT1G 可用作敏感元件的前置放大，以确保在低电平信号下有效的检测和响应。
电气特性：
- 基极电阻（R1）：10kΩ
- 发射极电阻（R2）：10kΩ
- 集电极截止电流：500nA，这意味着在关断状态时具有极低的功耗。
封装与安装： 采用的 SOT-23-3 封装方式（TO-236），其小尺寸使其适合集成到各种电子设备中，特别是在空间受限的设计中。其表面贴装类型的特点也使得大规模生产中便于自动化组装，提高生产效率。
热特性： 该晶体管的功率最大值达到 246mW，在设计电路时必需考虑散热，以保证在长期运行中的可靠性和稳定性。
结论： 总的来说，MMUN2111LT1G 是一款可靠、功能强大的 PNP 晶体管，适合于多种电子应用场景。其卓越的电气特性与紧凑的封装设计，必将使其在现代电子产品中发挥重要作用。无论在传感器、信号放大，还是开关控制的应用中，均能提供高效、稳定的性能，满足设计者对高品质电子元器件的需求。