MMBD301LT3G 产品实物图片
MMBD301LT3G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBD301LT3G

商品编码: BM0092077437
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
肖特基二极管 独立式 520mV@10mA 30V 200mA SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.356
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.356
--
500+
¥0.237
--
5000+
¥0.207
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBD301LT3G参数

二极管类型肖特基 - 单电压 - 峰值反向(最大值)30V
不同 Vr、F 时电容1.5pF @ 15V,1MHz功率耗散(最大值)200mW
工作温度-55°C ~ 125°C(TJ)封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

MMBD301LT3G手册

empty-page
无数据

MMBD301LT3G概述

产品概述:MMBD301LT3G 肖特基二极管

MMBD301LT3G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)出品的肖特基二极管,具有独特的性能特点,广泛应用于电子设备的电源管理、信号整形和整流电路中。这款二极管适合在高频和低电压应用场景中使用,凭借其优秀的特性,能够满足现代电子产品对效率和稳定性的严苛要求。

基础参数

  1. 二极管类型:肖特基 - 单

    • 肖特基二极管因其低正向压降和快速切换特性,广泛应用于各种电源应用和信号处理电路。
  2. 电压 - 峰值反向(最大值):30V

    • 这表明该二极管能够承受最高30V的反向电压,使其适合于大多数低压和中等电压应用。
  3. 不同 Vr、F 时的电容:1.5pF @ 15V,1MHz

    • 该参数显示在特定的电压条件下,二极管的输入电容极低,这对于高频应用至关重要,能够减少信号损失和提高整体电路的响应速度。
  4. 功率耗散(最大值):200mW

    • 最大功率耗散值的设计确保该器件在高功率环境下仍能保持良好的工作状态,降低过热风险。
  5. 工作温度范围:-55°C ~ 125°C (TJ)

    • 广泛的工作温度范围使得该二极管可在极端环境下正常工作,能够满足航空、汽车和工业等多种应用的要求。
  6. 封装类型:SOT-23-3(TO-236)

    • SOT-23-3的封装设计有效地节省了PCB空间,同时便于自动化组装。该封装对于现代小型化电子设备的设计尤为重要。

性能特点

  • 正向压降:520mV @ 10mA

    • 低正向压降的特性显著提高了电源转换效率,在应用于直流电源转换器和适配器时能够有效降低能量损耗。
  • 整流能力:200mA

    • 具备较高的整流能力,适用于各种小功率直流电源整流和反向电流保护的场合。

应用场景

MMBD301LT3G 产品的设计定位使其广泛应用于多种领域,其中包括但不限于:

  1. 电源管理

    • 在开关电源、电压调节器和电池充电器中作为整流二极管,确保高效的电能转换和最低的能量损失。
  2. 信号整形

    • 用于射频(RF)应用中的信号整形及处理,尤其是在需要快速响应和高频特性的场合。
  3. 汽车电子

    • 由于其宽广的工作温度范围和高度的稳定性,适合用于汽车电子设备的电源保护和整流电路中。
  4. 消费电子

    • 用于手机、便携式设备及其它小型电子产品中,帮助实现高效率和小型化设计。

结论

MMBD301LT3G 肖特基二极管以其优异的电气性能和广泛的应用范围,成为了市场上颇具吸引力和竞争力的器件之一。它的设计理念不仅关注于效率,更兼顾了稳定性与耐用性,能够满足各类电子产品在高效能和可靠性方面的需求。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域,MMBD301LT3G都是设计工程师的首选器件之一。