反向恢复时间 (trr) | 6ns | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 75V |
不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V,1MHz | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
二极管类型 | 标准 | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA(DC) |
SBAS16HT1G 产品概述
SBAS16HT1G 是一款由安森美半导体公司(ON Semiconductor)生产的高性能开关二极管。该产品采用 SOD-323-2 封装,以其小巧的尺寸和优异的电气特性,广泛应用于各种电子电路中,如信号整流、开关、电压钳位等。
基本参数
SBAS16HT1G 的反向恢复时间(trr)为 6ns,能够快速切换,这使得该二极管非常适合用于快速开关应用。它的电压 - DC 反向(Vr)最大值可达到 100V,说明该器件在高电压环境下能保持良好的性能。此外,该二极管在不同的反向电压下,其反向泄漏电流非常低,仅为 1µA(在 75V 时测量)。这种特性有助于提高电路的整体效率,并减少功耗。
在频率响应方面,SBAS16HT1G 在 0V 条件下于 1MHz 时具有 2pF 的电容,意味着其在高频操作中具有很好的稳定性和低失真。这一特点使得该二极管非常适合用于高频开关和信号处理电路。
电流承载能力
该二极管的平均整流电流(Io)为 200mA(DC),表明其在处理中等电流应用时会保持优秀的性能。它的正向电压(Vf)在 150mA 时为 1.25V,这意味着在满足设计要求的同时,二极管在正常工作条件下不会引起过多的能量损耗。
温度范围
SBAS16HT1G 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,具有极强的抗温性,适合在各种严酷环境中使用。无论是在高温高湿的工业环境,还是在低温的户外应用,该器件都能够稳定工作。这种特性使其广泛应用于汽车电子、消费电子和工业控制等领域。
封装与安装
该二极管采用 SOD-323-2 封装,适合表面贴装(SMD)技术,为电路设计提供了更小的占板面积和更高的集成度。其优越的封装设计还可以有效减小在多层电路板上的布局复杂性,使现代电子产品能够实现更加精密和微型化的设计。
应用领域
SBAS16HT1G 的特点使其广泛应用于多个领域,包括:
总的来说,SBAS16HT1G 是一款性能卓越、应用广泛的开关二极管,其优异的电气特性和可靠的工作性能,使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。