安装类型 | 表面贴装型 | 存储器接口 | SPI - 四 I/O |
时钟频率 | 133MHz | 写周期时间 - 字,页 | 3ms |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 存储容量 | 64Mb (8M x 8) |
电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V | 技术 | FLASH - NOR |
存储器格式 | 闪存 | 存储器类型 | 非易失 |
W25Q64JVSSIQ TR 是由华邦电子公司(Winbond Electronics Corp.)制造的一款高性能NOR型闪存存储器。这款器件采用了最新的SPI(串行外设接口)技术,具有快速的数据传输速率和高效的读写性能,非常适合用于各种电子设备中。随着电子产品对存储器性能的需求不断提升,W25Q64JVSSIQ TR 以其优越的功能和卓越的性价比,成为了市场上广受欢迎的闪存解决方案。
存储容量:W25Q64JVSSIQ TR 提供64Mb的存储容量,换算为8M x 8的结构,为用户提供足够的存储空间,可以存储大量数据、程序或配置文件。
工作温度范围:该器件的工作温度范围为-40°C至85°C,适用于多种严苛的工作环境,确保在高温或低温条件下的稳定运行。
电压供电:W25Q64JVSSIQ TR 的供电电压范围为2.7V至3.6V,方便设计人员根据不同的电源环境进行灵活配置,适合内置电池供电的便携设备。
时钟频率:该器件支持高达133MHz的时钟频率,使其具备快速的数据传输能力,能够提高系统的整体性能和响应速度。
写入周期:器件的写入周期时间为3ms,能够高效地完成数据的写入操作,适合要求快速数据存取的应用。
存储器类型:采用FLASH-NOR技术,W25Q64JVSSIQ TR 是一款非易失性存储器,数据在断电情况下依然能够保留,非常适合存储固件、配置数据等重要信息。
接口类型:器件通过SPI接口与主控制器进行通信,具有四条I/O通道,能够实现更高速的数据传输,相较于传统的SPI接口,提升了读写操作的效率。
封装形式:W25Q64JVSSIQ TR 采用8-SOIC封装,尺寸小巧,易于在高密度布线的电路板上进行安装,适合多种应用场合。
W25Q64JVSSIQ TR 非常适合以下几种应用场景:
W25Q64JVSSIQ TR 作为一款高性能的NOR型闪存存储器,其丰富的特性和卓越的性能在多种应用中展现出强大的适用性。通过提供稳定的非易失性存储解决方案,结合高速的数据传输能力和广泛的工作温度范围,W25Q64JVSSIQ TR 无疑是现代电子设备中一款非常理想的存储器选择。无论是在消费类电子、工业控制、还是汽车电子领域,其出色的表现定能满足设计者对性能和可靠性的严苛要求。