晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 140V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1V @ 500mA,5A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 250µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 25 @ 5A,2V |
功率 - 最大值 | 250W | 频率 - 跃迁 | 2MHz |
工作温度 | -65°C ~ 200°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-204AA,TO-3 | 供应商器件封装 | TO-204(TO-3) |
MJ15003G是一款高功率NPN晶体管,主要设计用于需要高电流和高电压的应用场景。作为安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款三极管,这款器件在性能、可靠性以及多种应用中的适应性上均表现突出,为工程师在设计和开发过程中提供了极大的便利。
MJ15003G的主要参数包括其最大集电极电流(Ic)可达20A,以及集射极击穿电压(Vceo)达到140V。这使得MJ15003G适合用于高功率放大器、高频开关电源和大功率驱动电路中。其具有的DC电流增益(hFE)最小值为25,尤其在工作电流为5A时,展现出良好的增益特性,能够高效地驱动负载。这些特性使得MJ15003G非常适合用于音频放大器、变频器和其他需要高效率传输的电路应用。
MJ15003G在特定工作条件下,其Vce饱和压降最大值为1V(在电流为500mA和5A时测得)。这一参数对于需要严格控制功耗和热管理的高效电路尤为重要。与此同时,其集电极截止电流最大值为250µA,确保了在关闭状态时的极低功耗,从而为能够实现高效节能的电源管理设计提供了支持。
MJ15003G的最大功率额定值为250W,这使其能够应对高功率应用场景的需求。其频率跃迁特性达到2MHz,意味着该器件可以在各种高频应用中有效工作。这一特性使MJ15003G在开关电源、电机驱动和RF(射频)应用中表现极为出色。
MJ15003G的工作温度范围为-65°C至200°C,使得该器件能够在极端环境条件下稳定工作。该特性也使其适用于苛刻的行业,如军事、航空航天以及工业应用。此外,MJ15003G采用通孔安装方式以及TO-204(TO-3)封装,便于在各种设备中可靠和稳定地进行安装,确保良好的散热性能与长久的稳定性。
MJ15003G广泛应用于多个领域,包括但不限于:
MJ15003G凭借优异的电气特性、宽广的工作温度范围以及稳定的性能表现,成为高功率电子电路中不容忽视的重要器件。无论是在音频放大、电力变换还是其他高效能应用中,其出色的增益特性和低饱和压降均使其成为设计人员的理想选择。通过选择MJ15003G,工程师们可以开发出更高效、更稳定的电子系统,同时降低功耗,提高整体性能水平。这款晶体管不仅体现了安森美半导体在电子元件领域的技术实力,也为行业的发展提供了坚实的支持。