驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 250mA,500mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 85ns,35ns |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
NCP5104DR2G 是由安森美(ON Semiconductor)制造的一款强大且高效的半桥驱动器,特别适用于各种需求高电压与高频开关的应用。这款驱动器的设计目标是优化对IGBT和N沟道MOSFET的控制,以实现高效的功率转换与能源使用。
驱动配置与通道类型
接口与逻辑电压
供电电压与高压侧电压
输出能力
上升/下降时间
工作温度范围
封装设计
NCP5104DR2G的设计使其适用于广泛的应用场景,包括:
开关电源(SMPS):在AC-DC转换中,NCP5104的高压能力与快速切换性能,提升了电源的效率与稳定性。
过电压保护:在需要承受高电压、快速开关的电路中,NCP5104能够有效保护电路元件,延长设备寿命。
电动机驱动:用于驱动直流电机及步进电机,特别是在要求精确控制与快速响应的应用中,NCP5104表现出色。
电池管理系统:具备高电压开关能力的NCP5104能实现高效的电池充电和放电控制,支持电池组的最佳性能。
综上所述,NCP5104DR2G是一款功能强大、性能可靠的半桥驱动器,凭借其广泛的电压范围、快速的开关时间和优秀的温度适应性,能够满足各类高性能电子应用的需求。安森美凭借其先进的工艺与设计理念,为工程师们提供了一个无论是在效率、稳定性还是在集成度上均表现出色的解决方案,适合各类现代电子设备的设计与开发。