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NJV4030PT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-223-4
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
三极管(BJT) 2W 40V 3A PNP SOT-223-4
库存 :
12(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.9按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.9
--
50+
￥1.47
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
NJV4030PT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 300mA，3A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 1A，1V | 频率 - 跃迁 | 160MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223（TO-261） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 功率 - 最大值 | 2W | 基本产品编号 | NJV4030 |
NJV4030PT1G手册
无数据
NJV4030PT1G概述
NJV4030PT1G 产品概述
产品简介
NJV4030PT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款高性能 PNP 型晶体管，具有优异的电气特性，适用于各种电子应用。该器件以其在高温、高电流和大功率等极端条件下的稳定性和可靠性，成为电子设计师和工程师的理想选择。
关键参数
- 制造商: ON Semiconductor
- 类型: PNP 晶体管
- 封装: SOT-223-4 (TO-261AA)
- 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 最大集电极电流 (Ic): 3A
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 40V
- 最大功率消耗: 2W
- Vce 饱和压降: 500mV @ 300mA，3A
- 集电极关闭电流 (ICBO): 100nA
- DC 电流增益 (hFE): 最小值 200 @ 1A，1V
- 频率 - 跃迁: 160MHz
设计特点
NJV4030PT1G 的设计旨在提供高效的电流放大能力，特别适合需要中等至高电流输出的应用。在低至中等条件下，该器件展示出优秀的直流电流增益，使其适合用作开关和放大器。其超低的 ICBO 值（100nA）确保了在高温环境下仍能保持稳定的性能。在 40V 的击穿电压和高达 2W 的功率下，该晶体管适合用于各种负载和功耗电路中。
应用领域
NJV4030PT1G 广泛应用于以下领域：
- 开关电路: 适用于各种开关应用，如电源管理和驱动电路。
- 大的功率放大器: 在配合其他器件时，可以构建高效的功率放大系统，适合音频和射频应用。
- 线性调节器: 作为线性调节器电路的一部分，提供稳定的输出电压。
- 信号放大器: 在需要处理微弱信号的应用中，可以用作信号放大器。
优势
- 高电流和电压处理能力：具有 3A 的集电极电流能力和 40V 的集射极击穿电压，使其在大多数场合下均能胜任电流和电压的管理。
- 宽广的温度范围: 工作温度可达到 -55°C 至 150°C，确保在极端环境下的可靠性。
- 低饱和压降: 在 3A 的负载条件下，仅需 500mV 的饱和压降，这在一定程度上降低了在高效能应用中对功率损耗的影响。
- 高增益特性: 最低可达 200 的电流增益，适合运用于需要高增益的信号放大应用。
封装与可用性
NJV4030PT1G 采用 SOT-223 封装，表面贴装类型，便于现代电子设备的小型化设计。卷带包装的形式使其在批量生产时能够高效且便捷地进行拾取和放置。ON Semiconductor 提供的产品质量和技术支持也确保了设计产品的可靠性和持久性。
结论
整体来看，NJV4030PT1G 是一款高性能的 PNP 晶体管，凭借其优秀的电气特性和适用范围，广泛服务于现代电子设备。无论是作为开关元件还是在各种放大电路中，都能为设计工程师提供灵活的解决方案，是一种值得考虑的电子元件。
以上汇总了 NJV4030PT1G 的主要特点和应用，希望能为您的设计提供有价值的信息。如需更多技术支持，请随时联系 ON Semiconductor 的技术团队。