SBC846BDW1T1G

SBC846BDW1T1G 产品概述

SBC846BDW1T1G 是一款高性能的 NPN 晶体管（双），专为广泛的低功耗应用而设计。此器件由安森美（ON Semiconductor）生产，采用了表面贴装型（SMT）封装，包含 SC-88、SC70-6 和 SOT-363 封装形式，具有出色的电气特性和高可靠性，特别适合于小型化电子设备，如便携式设备、消费电子产品和通信设备中的开关和放大应用。

主要参数

1. 电流和电压特性

   • 集电极电流 (Ic): SBC846BDW1T1G 的最大集电极电流为 100 mA，能够工作在相对较高的载流下，满足现代电子设备对驱动能力的需求。
   • 集射极击穿电压 (Vceo): 最大击穿电压为 65 V，表明该器件能够承受高于一般应用要求的电压，使其在多种应用场景中都能保持稳定性。

2. 功率和功率耗散

   • 最大功率耗散: 其最大功率为 380 mW，能够有效地处理产生的热量，保证器件在高负载情况下的工作稳定性。

3. 电流增益 (hFE)

   • 在 2 mA 的条件下，SBC846BDW1T1G 具有最小 DC 电流增益 (hFE) 200。这使得该晶体管在不同电流级别下均能提供良好的增益性能，便于设计者在选择器件时能够获得可预测的增益。

4. 饱和压降 (Vce(sat))

   • SBC846BDW1T1G 在 5 mA 和 100 mA 的工作条件下，最大 Vce 饱和压降为 600 mV。这一点非常重要，因为它将在开关应用中影响功耗和效率。

5. 漏电流

   • 最大集电极截止电流（ICBO）为 15 nA，表明其在关闭状态下的漏电流极低，能够有效减少静态功耗。

6. 频率响应

   • 功能频率响应达到 100 MHz，适合高频应用场景，进一步增强了其在现代高频电路设计中的适用性。

7. 工作温度范围

   • 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内工作，这使得 SBC846BDW1T1G 在严酷的环境条件下依然能够正常工作，提高了系统的可靠性。

应用领域

SBC846BDW1T1G 可以被广泛应用于：

• 便携式电子产品: 如智能手机、平板电脑及其他手持设备。
• 消费电子设备: 包括电视、音响设备和计算机周边设备。
• 工业控制系统: 在功能复杂的工业设备中作为开关和信号放大器发挥作用。
• 汽车电子: 用于汽车的控制单元，如动力系统的监控和控制。

封装信息

本产品采用 SC-88、SC70-6 和 SOT-363 封装，这些小型封装适合自动化贴片生产，并且在空间有限的应用场合中进一步减少了电路板的尺寸。这样的设计不仅提高了布局的灵活性，也减轻了整体系统的体积和重量。

总结

SBC846BDW1T1G 是一款适合多种应用的高性能 NPN 晶体管，其广泛的电气特性、较低的功耗和高效的开关能力使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在消费类产品还是工业应用中，SBC846BDW1T1G 都能够满足严格的性能和可靠性需求。选择 SBC846BDW1T1G，意味着选择了一种高质量的电子解决方案。