开关电路 | SPDT | 多路复用器/解复用器电路 | 2:1 |
电路数 | 1 | 导通电阻(最大值) | 25 欧姆 |
通道至通道匹配 (ΔRon) | 2 欧姆 | 电压 - 电源,单 (V+) | 2V ~ 5.5V |
开关时间 (Ton, Toff)(最大值) | 14ns,8ns | -3db 带宽 | 200MHz |
电荷注入 | 3pC | 沟道电容 (CS(off),CD(off)) | 10pF,10pF |
电流 - 漏泄 (IS(off))(最大值) | 1nA | 工作温度 | -55°C ~ 125°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
产品概述:NLAST4599DTT1G
NLAST4599DTT1G 是一款来自安森美(ON Semiconductor)的高性能单通道切换器,采用 SPDT(单刀双掷)配置,专为宽带应用而设计,尤其适合那些需要快速开关和低功耗的电子电路。此产品在业界以其出色的电气性能和广泛的应用范围受到热烈欢迎。
NLAST4599DTT1G 的一系列优良特性使其成为各种电子应用中的理想选择。首先,它的导通电阻在最大值为 25 欧姆,这对于确保信号传输的完整性至关重要。更重要的是,该器件提供了 2 欧姆的通道至通道匹配(ΔRon),这意味着不同通道之间在导通过程中的电阻差异极小,有助于保证信号的一致性和可靠性。
该器件的电源电压范围为 2V 至 5.5V,支持低电压应用,这对现代电子设备的功耗管理至关重要。在快速切换需求方面,NLAST4599DTT1G 的开关时间(Ton: 14ns,Toff: 8ns)十分出色,能够满足高频信号处理的需求。此外,其 -3dB 带宽达到 200MHz,确保了广泛的频率响应,适用于多种信号传输应用,包括音频和视频信号。
另一个值得注意的特点是其较低的电流泄漏(IS(off) 最大值为 1nA),这保证了在静态状态下,器件对电池消耗的影响极小,非常适合于低功耗移动设备及其他对能耗敏感的应用。此外,电荷注入(3pC)和沟道电容(CS(off)、CD(off) 均为 10pF)的表现也使得该器件在性能上更加出色,尤其是在快速切换和高频应用中。
NLAST4599DTT1G 可靠的工作温度范围为 -55°C 至 125°C,确保其在极端环境下也能稳定运行。这使得该器件在航天、汽车电子及工业设备等领域得以广泛应用。器件采用表面贴装型封装(SOT-23-6 或 TSOT-23-6),体积小巧便于高密度电路板设计,同时其封装形式也确保了优秀的热性能和电气连接性能。
NLAST4599DTT1G 的应用范围极其广泛。它适用于信号选择、模拟开关、数据路由和音视频设备等多种场景。无论是在消费电子领域,还是在汽车、通信和工业控制等领域,该器件都可发挥其高效能和高可靠性,满足各种电子设计的需求。
现代电子产品日益追求小型化及高性能,NLAST4599DTT1G 完美契合这一趋势,其优异的电气特性与灵活的工作范围使其成为设计工程师的首选元器件。综上所述,NLAST4599DTT1G 无疑是一款集高效率、低功耗和广泛应用于一身的出色模拟开关。