BC847BPDXV6T1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC847BPDXV6T1G

商品编码: BM0086289618
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-563
包装 : 
编带
重量 : 
0.022g
描述 : 
三极管(BJT) 357mW 45V 100mA NPN+PNP SOT-563
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.666
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.666
--
200+
¥0.459
--
2000+
¥0.417
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC847BPDXV6T1G参数

晶体管类型NPN,PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值357mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-563

BC847BPDXV6T1G手册

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BC847BPDXV6T1G概述

产品概述:BC847BPDXV6T1G

一、产品简述

BC847BPDXV6T1G是一款由ON(安森美)公司生产的NPN/PNP型双极性晶体管(BJT),采用SOT-563封装,广泛应用于各种电子电路中。该晶体管具有优异的电气性能和可靠性,适合用于大多数低功耗信号放大和开关应用。这款器件的设计考虑了高频性能和宽工作温度范围,使其成为多种电子项目的理想选择。

二、主要特性

  1. 晶体管类型:支持NPN和PNP结构,能够适应不同的电路设计需求。
  2. 最大集电极电流(Ic):可达100mA,适合中等电流水平的应用。
  3. 最大集射极击穿电压(Vceo):最高可承受45V,确保在高电压环境下稳定工作。
  4. 饱和压降(Vce_sat):在5mA和100mA的条件下,最大饱和压降为600mV,确保良好的导通效果并降低功耗。
  5. 集电极截止电流(ICBO):15nA的超低截止电流,为高增益的信号处理提供保障。
  6. 直流电流增益(hFE):在2mA和5V的条件下,最小增益可达200,确保有效的信号放大能力。
  7. 最大功率额定值:357mW,适合多种功率应用,确保器件在正常工作负载下的长期稳定性。
  8. 频率特性:跃迁频率达到100MHz,适合高频应用,能够满足现代通信电路对高速性能的要求。
  9. 工作温度范围:-55°C至+150°C(TJ),使其在极端环境下依然能够可靠工作,适合航天、军事等严苛环境的应用。
  10. 安装方式:采用表面贴装型,便于自动化生产和提高电路小型化程度。

三、应用领域

BC847BPDXV6T1G晶体管广泛应用于各种电子设备和系统中,包括但不限于:

  • 低功耗放大器:在音频、视频信号放大中,提供高增益和低失真。
  • 开关电路:可用于开关控制电路,正如继电器驱动或LED驱动等应用。
  • 射频(RF)放大器:由于其高频特性,适合用于某些RF放大器设计。
  • 信号处理:在数据采集和处理系统中,作为前置放大器或模拟信号处理器。

四、封装和表面贴装设计

BC847BPDXV6T1G采用SOT-563封装,这是一种常见的表面贴装型封装,具有较小的占板面积和良好的散热性能。该封装不仅适合于自动化生产,还方便在高密度电路板上进行组装,且易于与其他元器件进行组合,从而实现更复杂的电路设计。

五、总结

BC847BPDXV6T1G晶体管是一款高性能、适应性强的双极性晶体管,结合了高电压、高电流以及广泛的频率范围,提供了令人满意的增益和低功耗特性。无论是在消费者电子、工业控制,还是在特殊应用如航空航天和汽车电子中,均能发挥出卓越的性能。由于其优良的工作温度范围和稳定性,这一产品适合于各种要求苛刻的应用场景。ON(安森美)的品牌背景更是为该器件的质量和可靠性提供了强有力的保证。对于需要高性能信号处理和低功耗解决方案的设计人员而言,BC847BPDXV6T1G无疑是一个值得考虑的选项。