功率(Pd) | 220W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 384pF@40V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.3mΩ@10V,20A |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 158nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 82V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 7.9nF@40V | 连续漏极电流(Id) | 140A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
NCE82H140D是新洁能(NCE)推出的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),其主要特点包括高功率、高压和高电流处理能力。这款器件在宽广的应用场景中表现出色,广泛用于电源管理、电动车驱动、电机控制、开关电源等领域。
高效能:NCE82H140D具有较低的导通电阻(R_DS(on)),在开启状态下可有效降低功率损耗,提高整体能效。这对于需要高频切换的应用例如开关电源等尤为重要。
优良的热管理:该MOSFET采用TO-263封装,具有良好的散热性能,适合在高功率和高温环境下工作。适配的尺寸和结构有利于增强散热效果,减少在高负载条件下的过热风险。
可靠性高:新洁能作为行业知名品牌,其器件经过严格的品质控制,确保在各种工况下的可靠性。此外,NCE82H140D的设计符合国际标准,拥有良好的抗干扰能力,适合多种工业和消费类电子产品。
适用范围广:新洁能的这款MOSFET主要面向电源管理、电动机驱动、DC-DC转换器等多个行业应用。其高电流和高电压特性使其特别适合于高功率设备和功率变换器中。
在选择和设计电路时,需要考虑MOSFET的最大额定值以及其在实际应用中的工作状态。例如,连接电路时保证漏极电流不超过140A,同时在高温环境操作时合理配置散热方案,确保MOSFET保持在安全温度范围内。此外,推荐使用合理的驱动电压和合适的输入信号,以保证MOSFET的快速和准确切换。
NCE82H140D N沟道MOSFET凭借其220W的额定功率和高达82V的工作电压,结合140A的最大电流处理能力,是各种电源管理和电动机驱动应用的理想选择。通过优秀的热管理和高效的电能转换性能,能够为客户提供可靠和高效的解决方案,尤其在追求高性能和高效率的现代电子设计中,其价值愈加明显。