FDMS7602S
FDMS7602S参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 12A，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A，17A | FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1750pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 1W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | Power56 |
FDMS7602S手册
FDMS7602S概述
FDMS7602S 产品概述
产品简介
FDMS7602S 是一款高性能的双 N-通道 MOSFET，专为各种高效能应用设计。该器件集成了两路 N-通道 MOSFET，具有良好的热性能和高开关速度，特别适合用于电源管理、转换器以及各种需要高效率开关的电路中。其主要参数表明，器件在实现较高电流和较低导通电阻的同时，具备优异的工作范围和牢靠性，是现代电子产品中理想的选择。
主要电气特性
最大漏极电流 (Id): 该器件在25°C下的连续漏极电流可达12A，同样在更多特定条件下可达17A，使其在高功率应用中表现出色。
漏源电压 (Vdss): FDMS7602S 的漏源电压最大为30V，适合在视电压范围内的多样化电路设计。
导通电阻 (Rds(on)): 在12A和10V的条件下，该器件的最大导通电阻为7.5毫欧，保证了在高电流应用中较低的功耗和热损耗。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在250μA的条件下，器件的最大栅极阈值电压为3V，这使得其能够以较低的门电压轻松开启，适合逻辑电平驱动。
栅极电荷 (Qg): 在10V条件下，该器件的最大栅极电荷为28nC，具有优良的开关特性，提高了开关速度，降低了开关损耗。
输入电容 (Ciss): 最大值为1750pF，在15V的条件下表现出较好的输入特性，适用于高频率开关电路。
工作环境与可靠性
FDMS7602S 的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，能在多种极端环境下稳定运行。此外，该器件采用了表面贴装型 (SMD) 封装，即 Power56，能够支持高密度的布线设计，便于在有限空间内集成更多高性能硬件，满足现代电子产品对于小型化、低功耗的需求。
应用领域
FDMS7602S 在多个领域表现出优异的适应性，特别适用于：
- 电源管理模块: 用于DC-DC转换器、AC-DC电源以及电池管理系统中，优化功耗和提高效率。
- 开关应用: 可靠的切换特性让其在负载切换、负载继电器驱动中发挥关键作用。
- 电机驱动: 适用于直流电机与步进电机的驱动，提供稳定的电流并提升电机性能。
- 高频开关电源: 在高频频率下，FDMS7602S 支持快速开关，有助于提升系统效率。
总结
FDMS7602S 作为一款高效能的双 N-通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、宽电流范围以及强大的工作温度，成为电子设计中的重要元件。无论是在电源管理、电机驱动，还是高频开关应用中，其出色的参数都使其成为设计工程师的理想选择。作为安森美(ON)推出的高质量产品，FDMS7602S 定能为您的设计带来更高的效率与可靠性。