晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 300µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
功率 - 最大值 | 246mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
SMMUN2114LT1G是一款高性能的PNP数字晶体管,其主要应用于开关和放大电路中。这种元器件采用表面贴装型(SMD)封装,符合现代电子设备对体积和性能的要求,具有良好的热管理性能和电气特性。作为ON Semiconductor(安森美)推出的一款数字晶体管,SMMUN2114LT1G凭借其优越的参数表现,成为众多电路设计师的首选元件。
SMMUN2114LT1G采用SOT-23-3(TO-236)封装,适合表面贴装,同时因其小巧的设计使其在空间受限的应用中,如移动设备、便携式电子产品等,展现出良好的适用性和灵活性。这一封装类型不仅便于自动化生产线的安装,也有助于提高整个电路板的集成度。
SMMUN2114LT1G适用于广泛的应用领域,包括:
SMMUN2114LT1G是一款功能强大,性能优秀的PNP数字晶体管,广泛应用于现代电子设备的各个领域。它的高集电极电流容量、良好的电流增益特性以及兼容的封装方式,使其成为开关和放大电路设计的理想选择。选择SMMUN2114LT1G,将为设计者提供更高的设计灵活性和系统可靠性,助力实现更复杂的电路应用。