制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ 5 |
包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 8V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5.1 毫欧 @ 60A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.6V @ 264µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 500mW(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
漏源电压(Vdss) | 150V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 100nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7800pF @ 75V |
产品概述:IPP051N15N5AKSA1 - Infineon OptiMOS™ 5 150V N通道功率MOSFET
制造商与系列信息
IPP051N15N5AKSA1是由著名的国际半导体制造商Infineon Technologies出品的一款高性能N通道功率MOSFET,属于其先进的OptiMOS™ 5系列。该系列旨在满足当今电子应用对高效率和高功率处理能力的严格要求,提供卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于多种应用场景。
产品特性
IPP051N15N5AKSA1具有以下主要特性:
高电流承载能力:该MOSFET在25°C时具备最高可达120A的连续漏极电流(Id),使其在高负载应用中表现出色,能够满足重载工作环境的需求。
低导通电阻:在10V的栅极驱动电压下,IPP051N15N5AKSA1的最大导通电阻(Rds(on))为5.1毫欧,意味着在开关操作中能量损失极小,极大提高了整体系统的能效。
宽工作温度范围:该器件可在-55°C至175°C的广泛温度范围内工作,适用于各种恶劣环境,是高温或低温应用的理想选择。
大漏源电压(Vdss):最大漏源电压为150V,使得该MOSFET适用于高电压智能控制电路,尤其是在电动叉车、电动滑板车等低压驱动系统中的应用表现优异。
良好的栅极驱动特性:其栅极电压(Vgs)最大值为±20V,确保了在高电压操作下的安全性。而在10V的驱动下,栅极电荷(Qg)为100nC,相对较低的Qg有助于提升开关速度,降低开关损失,提高系统效率。
电容特性:该器件在75V时的输入电容(Ciss)为7800pF,良好的电容特性使其在高频开关应用中能够保持较高的转换效率。
应用场景
由于其卓越的性能,IPP051N15N5AKSA1广泛适用于以下领域:
电动交通工具:尤其是在电动叉车和电动滑板车的驱动系统中,提供了理想的功率转换和控制,为用户提供稳定性的同时,提高了能效。
通信设备:在通信基础设施中,该MOSFET能够实现高效的功率放大及信号转换,提升系统整体性能。
太阳能应用:IPP051N15N5AKSA1还适合用于太阳能逆变器和相关设备中,以优化能量转换和系统稳定性,为可再生能源的集成提供有力支持。
安装与封装
该产品采用TO-220-3封装,适用于通孔安装,易于与现有PCB设计集成。TO-220封装具有优良的散热特性,能够有效管理热量,确保器件在高负载工作的稳定性。
总结
IPP051N15N5AKSA1是Infineon OptiMOS™ 5系列中的一款杰出N通道功率MOSFET,凭借其出色的电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围,成为众多高性能电气应用的理想选择。其在电动交通工具、通信设备及太阳能逆变器等领域的广泛应用,充分证明了其卓越的性能和可靠性,是推动现代电子技术发展的重要力量。选择IPP051N15N5AKSA1,将为您的设计带来更高的效率和稳定性。