注：图像仅供参考，请参阅产品规格
NDS355AN
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SuperSOT-3
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 500mW 30V 1.7A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
1819(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.6按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.6
--
100+
￥1.24
--
750+
￥1.03
--
1500+
￥0.938
--
3000+
￥0.86
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
NDS355AN参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 195pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
NDS355AN手册
无数据
NDS355AN概述
NDS355AN 产品概述
产品背景
NDS355AN 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应管)，由领先的电子元件供应商 ON Semiconductor（安森美半导体）生产。这款 MOSFET 具有优秀的电气特性和可靠性，广泛应用于开关电源、功率管理、电机驱动和其他电子电路中。
关键参数
NDS355AN 的主要参数包括：
- 漏源电压（Vdss）：最高可承受 30V，这使其适合在低电压环境下高效工作。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境下，NDS355AN 的最大连续漏极电流为 1.7A。这使其适合中等电流应用。
- 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅压下，最大导通电阻为 85 毫欧，这提供了低功耗和高效率的开关性能。
- 栅极源电压（Vgs(th)）：最大栅极阈值电压为 2V, 适合低压控制。
- 栅极电荷（Qg）：在 5V 的栅压下，栅极电荷最大为 5nC，确保快速的开关速度。
- 输入电容（Ciss）：在 15V 时，最大输入电容为 195pF，这有利于提高开关频率。
- 工作温度范围：其工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +150°C，适用于多种苛刻环境。
封装与规格
NDS355AN 采用 SuperSOT-3 封装（符合 TO-236-3、SC-59 和 SOT-23-3 封装标准），这种整体封装设计不仅降低了电路板空间的占用，同时也提高了散热性能。对于需要紧凑型封装设计的现代电子产品，NDS355AN 显得尤为重要。
应用领域
NDS355AN 广泛应用于以下领域：
- 开关电源：在开关电源转换器中，MOSFET 作为开关元件，能够有效控制能量的流动。
- 电机驱动：在直流电机和步进电机驱动中，MOSFET 提供必要的开关能力，支持精确的速度和方向控制。
- 电源管理：在移动设备、笔记本电脑和其他便携式设备中，NDS355AN 可以用于电源管理，优化能耗。
- LED 驱动：在 LED 照明应用中，MOSFET 作为开关，能够精确调节亮度，实现高效的能量转换。
性能优势
- 高效率：NDS355AN 具备低导通电阻，降低了开关损耗，提高整体电路的效率。
- 快速响应：较低的栅极电荷参数，确保 MOSFET 能以高频率切换，满足苛刻的开关频率需求。
- 广泛的兼容性：支持较广的 Vgs 和 Vdss 范围，使其能够与多种电源管理方案兼容，适合不同的应用场景。
结论
NDS355AN 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET，具备低功耗、可靠性高、工作温度范围广等特点，使其在各类电子设备中都表现出色。得益于其优良的电性能和多功能应用，NDS355AN 不仅能满足现代电子设备设计的多样化需求，还能为工程师在设计过程中提供支持，是一种值得推荐的电子元器件。无论是在开关电源、电机驱动还是电源管理的应用场合中，NDS355AN 都可有效提升系统性能和能效，为用户带来更好的使用体验。