NCP5106BDR2G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCP5106BDR2G

商品编码: BM0086044076
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOIC-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.207g
描述 : 
Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
库存 :
2175(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
3.49
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.49
--
100+
¥2.68
--
1250+
¥2.33
--
2500+
¥2.2
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCP5106BDR2G参数

驱动配置半桥通道类型独立式
驱动器数2栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电10V ~ 20V逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.3V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)250mA,500mA输入类型非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)600V上升/下降时间(典型值)85ns,35ns
工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装8-SOIC

NCP5106BDR2G手册

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NCP5106BDR2G概述

NCP5106BDR2G 产品概述

NCP5106BDR2G 是由安森美(ON Semiconductor)公司推出的一款高性能驱动器,设计用于提供高效的半桥驱动解决方案,尤其适合于控制电动机和电源转换器等应用。其独特的设计特点和功能使其在各种工业和消费设备中广泛应用。以下是该产品的详细介绍及其主要特性。

主要特性

  1. 驱动配置

    • NCP5106BDR2G 采用半桥驱动配置,能够控制高侧和低侧的功率开关(如IGBT和N沟道MOSFET),提供强大的驱动能力和灵活性,满足不同运用场景的需求。
  2. 通道类型

    • 该驱动器具备独立式通道设计,允许用户灵活控制每个通道,适应多样化的电源和负载配置。
  3. 工作电压范围

    • NCP5106BDR2G 的供电电压范围为10V至20V,支持多种电源系统,降低了设计集成的复杂性。
  4. 逻辑电压

    • 该器件的输入逻辑电压(VIL和VIH)分别为0.8V和2.3V,确保兼容多种逻辑电平的控制信号。
  5. 输出电流能力

    • 其峰值输出电流为250mA(灌入)和500mA(拉出),能够快速驱动大功率的MOSFET和IGBT,优化开关性能。
  6. 高压侧电压

    • NCP5106BDR2G 支持高达600V的自举电压,使其在高压应用中表现出色,适合于工业电源和电动汽车等高压系统。
  7. 开关特性

    • 上升时间典型值为85ns,下降时间为35ns,这意味着它在高频切换下也能保持良好的性能,降低开关损耗以及热量产生。
  8. 广泛的工作温度范围

    • NCP5106BDR2G 的工作温度范围为-40°C至125°C,适应各种严苛环境下的运行,增强了产品的可靠性。
  9. 封装形式

    • 该器件采用8-SOIC表面贴装封装,尺寸为0.154"(3.90mm宽),便于在现代电路板上进行紧凑布局,是高密度电路设计的理想选择。

应用场景

NCP5106BDR2G 驱动器广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电动机控制:特别是在交流和直流电动机驱动系统中,为电动机提供精确和高效的控制。
  • 开关电源(SMPS):在高频开关电源中,用于推动功率开关,优化效率及降低噪声。
  • 工业自动化:在自动化设备中控制功率转换和电机驱动,为设备提供稳定的动力支持。
  • 电动汽车:应用于电动车辆的电动机控制器和电源管理系统中,以支持高压和高效率的电力传输。

总结

NCP5106BDR2G 作为一款高性价比的半桥驱动器,凭借其灵活的设计、高效的输出能力及广泛的应用适应性,为现代电子设备的动力控制提供了理想的解决方案。其卓越的性能参数和多样化的应用场景,确保了它在市场上的竞争力,使得工程师能够更高效地设计和实现高性能的功率控制系统。