驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 250mA,500mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 85ns,35ns |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
NCP5106BDR2G 是由安森美(ON Semiconductor)公司推出的一款高性能驱动器,设计用于提供高效的半桥驱动解决方案,尤其适合于控制电动机和电源转换器等应用。其独特的设计特点和功能使其在各种工业和消费设备中广泛应用。以下是该产品的详细介绍及其主要特性。
驱动配置:
通道类型:
工作电压范围:
逻辑电压:
输出电流能力:
高压侧电压:
开关特性:
广泛的工作温度范围:
封装形式:
NCP5106BDR2G 驱动器广泛应用于多个领域,包括但不限于:
NCP5106BDR2G 作为一款高性价比的半桥驱动器,凭借其灵活的设计、高效的输出能力及广泛的应用适应性,为现代电子设备的动力控制提供了理想的解决方案。其卓越的性能参数和多样化的应用场景,确保了它在市场上的竞争力,使得工程师能够更高效地设计和实现高性能的功率控制系统。