MBR120LSFT3G
MBR120LSFT3G参数
| 二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 450mV @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 400µA @ 20V |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-123F |
| 供应商器件封装 | SOD-123FL | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 125°C |
MBR120LSFT3G手册
MBR120LSFT3G概述
MBR120LSFT3G 产品概述
基本信息
MBR120LSFT3G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的肖特基二极管，主要用于在各种电子电路中提供快速和高效的电流整流解决方案。这款二极管具有出色的电流承载能力和低正向电压降，使其在多种应用中更具优势。其工作电压能力为20V，具备最大1A的平均整流电流，适用于需要低功耗与高效能的场合。
主要参数
反向电压耐受能力（Vr）：MBR120LSFT3G的最大直流反向电压为20V，使其适用于各种低压直流电源电路，尤其是在电子设备的功率转换和整流应用中。
平均整流电流（Io）：该二极管的平均整流电流为1A，充分满足绝大多数常规电路的需求，包括开关电源、充电器和电机驱动电路等。
正向电压（Vf）：在1A的工作条件下，MBR120LSFT3G的正向电压为450mV，这一低电压降显著降低了在运作过程中的能量损耗。在电源设计中，低的正向电压有助于提高系统的总体效率。
反向泄漏电流：在最大反向电压20V下，反向泄漏电流为400µA。这一指标对于低功耗应用至关重要，因为过高的泄漏电流可能导致功率损耗和设备过热。
恢复速度：MBR120LSFT3G的恢复速度小于等于500ns，具备快速恢复特性，适用于需要快速切换和高频率通讯的电路配置。
工作温度范围：它的结温工作范围为-55°C到125°C，使得该产品在各种极端环境下仍能保持良好的性能和稳定性。
封装和安装类型：MBR120LSFT3G采用SOD-123FL封装，且为表面贴装型设计，适合现代电子器件的小型化和高密度组装需求。
应用领域
MBR120LSFT3G广泛应用于各类电子产品中，包括但不限于：
- 开关电源：在开关电源设计中，SHO二极管能够有效整流和限制反向电流，确保稳定输出。
- 充电器：其低的正向电压和高效能特性使得MBR120LSFT3G非常适合于电池充电管理，减少充电时的能量损耗。
- LED驱动：在LED应用中，MBR120LSFT3G可以作为整流元件，提高能效和亮度。
- 电机驱动：在电机驱动电路中，肖特基二极管可以防止由于反向电流导致的损坏，保护电动机控制电路的稳定性。
- 电源管理系统：在供电中，二极管的低正向电压降和快速恢复特性可提高整个电源管理系统的效率和可靠性。
结论
总的来说，MBR120LSFT3G是一款具备出色电气性能和广泛适用性的肖特基二极管，非常适合控制低功率应用中实现高效能的电路设计。凭借其高效的整流能力和优秀的参数表现，该产品为设计工程师提供了更有力的工具，以满足其在现代电子产品中日趋严苛的性能要求。无论是在消费电子、工业应用还是汽车电子领域，MBR120LSFT3G都能发挥重要作用。