注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF7455TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.173g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 15A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
8.48按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥8.48
--
100+
￥7.37
--
1000+
￥6.7
--
2000+
￥6.44
--
4000+
￥6.19
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF7455TRPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±12V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3480pF @ 25V |
IRF7455TRPBF手册
无数据
IRF7455TRPBF概述
产品概述：IRF7455TRPBF
一、基本信息
IRF7455TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon Technologies）制造的高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），属于 HEXFET® 系列。该器件采用表面贴装型（SMD）设计，封装规格为 8-SOIC，具有出色的电子特性和广泛的应用潜力。
二、性能参数
- 漏极-源极电压（Vdss）：该 MOSFET 支持最高 30V 的漏极-源极电压，适合各种中低压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的工作温度下，IRF7455TRPBF 的连续漏极电流可达 15A，展现出良好的电流处理能力。
- 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅极驱动电压下，器件的最大导通电阻为 7.5 毫欧，在提供高电流时能有效降低功耗和热量。
- 驱动电压（Vgs）：此器件的最大栅极驱动电压为 ±12V，最小 Rds(on) 出现在 10V 下，能够在不同工作场景中提供优良的控制性能。
- 功率耗散（Pd）：最大功率耗散为 2.5W，设计时需考虑散热措施，以确保器件在高负载下的稳定性。
- 工作温度范围：IRF7455TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合各种恶劣环境下的应用需求。
三、电气特性
- 栅极电荷（Qg）：其栅极电荷在 5V 下为 56nC，确保快速开关能力，降低开关损耗，适合高频应用。
- 输入电容（Ciss）：在 25V 下的最大输入电容为 3480pF，这使得该 MOSFET 在高频操作中的响应性良好，适合用于开关电源和其他高频应用。
四、应用领域
IRF7455TRPBF 可广泛应用于以下场景：
- 开关电源：由于其优秀的导通电阻和低功耗特性，适合用作开关电源中的开关元件。
- 电机驱动：可以用作直流电机和步进电机的驱动器，提高系统的效率和响应速度。
- 电池管理系统：在电池充电器和管理模块，可实现高效的能量转化和保护电路。
- 消费电子：适用于各种消费类电子产品的电力管理，提供稳定可靠的功率输送。
五、封装与安装
IRF7455TRPBF 采用 8-SOIC（Small Outline Integrated Circuit）封装，具有较小的占板面积，适合高密度电路板的设计。该器件的卷带（TR）包装形式也便于自动化贴装，减少生产成本与工艺复杂性。
六、总结
总体而言，IRF7455TRPBF 是一款兼具高效能、广泛适用性和优良性能的 N 通道 MOSFET，适合现代电子设备中的多种应用。其低导通电阻、高电流处理能力和宽广的工作温度范围，使其成为高性能电源管理和驱动解决方案的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是电机控制系统中，IRF7455TRPBF 都能为设计师带来可靠性和效率，为各种电源和驱动电路提供出色的支持。