NTMFS5C460NLT1G
NTMFS5C460NLT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 78A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），50W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 20V |
| 基本产品编号 | NTMFS5 |
NTMFS5C460NLT1G手册
NTMFS5C460NLT1G概述
产品概述：NTMFS5C460NLT1G
一、基本信息
NTMFS5C460NLT1G 是 ON Semiconductor 旗下的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 5-DFN（5x6）封装，是针对高电流和高效能应用而设计的场效应管。该器件在电源管理、开关控制以及功率转换领域具有广泛的应用前景。其卓越的电气特性使其成为现代电子设备中不可或缺的基础元件。
二、产品特性
电流能力 NTMFS5C460NLT1G 在 25°C 时具有高达 78A 的连续漏极电流（Id），确保在高负载条件下的出色表现。这种高电流能力使该 MOSFET 特别适用于大功率负载及高性能电源解决方案。
导通电阻 在 10V 的栅源电压下，该 MOSFET 在 35A 时的最大导通电阻（Rds(on)）仅为 4.5 毫欧，这种低导通电阻帮助降低了能量损耗，使设备运转更加高效。同时，具有较低的热耗散，使器件在工作时保持较低的温度，延长使用寿命。
栅极驱动电压 该器件的栅源驱动电压支持 4.5V 和 10V，提供了更灵活的驱动选项。这对于不同的应用旨在优化开关特性，降低开关损耗，并提升整体的工作效率。
输入电容和栅极电荷 NTMFS5C460NLT1G 在 20V 时的输入电容（Ciss）最大值为 1300pF，栅极电荷（Qg）最大值为 23nC @ 10V。这些特性确保了在高频转换和开关操作中，MOSFET 可以迅速响应，提高转换效率，并降低操作延迟，符合高频应用的需求。
工作温度范围 器件具有广泛的工作温度范围，从 -55°C 到 175°C 的温度适应性，使其非常适合极端环境下的应用，如航天、工业控制及汽车电子系统。
功率耗散 NTMFS5C460NLT1G 在环境温度下的最大功率耗散可达 3.6W，而在结温下可达到 50W。这使得该器件能够承受高功率应用的苛刻要求，并在传递高功率时保持性能的稳定。
三、应用场景
NTMFS5C460NLT1G 的设计使其非常适合于多种应用场景，包括但不限于：
- DC-DC 转换器：其高效的开关性能和低导通电阻，非常适合用于高效能的电源转换。
- 电动工具：高耐压和高电流能力使其成为电动工具驱动电路中的理想选择。
- 电源管理：在便携式设备和大型电源系统中，作为开关元器件可提高能效。
- 汽车电子：凭借其广泛的工作温度范围和高耐压能力，适应汽车电子系统中的苛刻环境。
四、总结
NTMFS5C460NLT1G 是一款出色的 N 通道 MOSFET，专为高性能能效应用而设计，其低导通电阻、高电流能力和宽温度工作范围使其在多个领域具有广泛的应用潜力。此外，优异的电气特性以及 ON Semiconductor 的强大支持，为工程师们提供了更好的设计自由度，确保产品在各种应用中的稳定可靠表现。在制定高效能的电源管理和开关控制方案时，NTMFS5C460NLT1G 定能成为理想的选择。