BCW72LT1G 产品实物图片
BCW72LT1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BCW72LT1G

商品编码: BM0086035418
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 45V 100mA NPN SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.296
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.296
--
200+
¥0.191
--
1500+
¥0.166
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BCW72LT1G参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁300MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

BCW72LT1G手册

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BCW72LT1G概述

BCW72LT1G 产品概述

BCW72LT1G 是一款高性能 NPN 晶体管,由安森美 (ON Semiconductor) 生产,属于 SOT-23-3 (TO-236) 表面贴装型封装。该三极管因其出色的电气性能和卓越的工作温度范围,广泛应用于数字电路、模拟电路和功率控制等各类电子设备中。

基本参数

BCW72LT1G 的基本电气参数如下:

  • 类型:NPN
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vceo):45V
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在不同的基极电流 (Ib) 下,250mV 的饱和压降在 500µA 和 10mA 电流条件下测得。
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为 100nA,表明在关断状态下的电流损耗极低。
  • 直流电流增益 (hFE):在 2mA 和 5V 条件下的最小值为 200,表明该晶体管能够有效地放大微小的输入信号。
  • 最大功率 (Ptot):该器件适合于 300mW 的功率应用。
  • 频率响应:在 300MHz 的跃迁频率下,BCW72LT1G 可以在较高频率下稳定工作,适合高速开关应用。
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C,赋予了该器件在极端环境条件下的可靠性。

封装与安装

BCW72LT1G 采用 SOT-23-3(TO-236)小型封装,使其适合于高密度的电路板设计。该表面贴装型设计不仅减小了器件的占用空间,还方便自动化组装和焊接,降低了生产成本。

应用领域

凭借其卓越的电气特性,BCW72LT1G 广泛应用于以下领域:

  1. 信号放大:在音频放大器和 RF 发送机中,该晶体管可用于信号的增强和控制,确保信号在发射过程中的清晰度和质量。

  2. 开关应用:其令人满意的饱和特性和高开关频率,使 BCW72LT1G 非常适合用作开关控制器,广泛应用于继电器驱动、灯光控制等域中。

  3. 音频设备:在音频功放中,BCW72LT1G 可作为信号放大器,提升音质表现,提供更强的输出功率。

  4. 数字电路:在逻辑电路和数字系统中,BCW72LT1G 可用于开关和信号放大,满足现代数字设备对快速响应和低功耗的需求。

  5. 传感器应用:该晶体管可与各种传感器配合使用,增强传感信号,支持更高精度的检测。

优势与特性

  • 高效能:BCW72LT1G 在各类应用中,具备优异的转换效率。
  • 高电流增益:高达 200 的直流电流增益确保了低输入电流下也能实现有效的信号放大。
  • 广泛的工作温度:可在极端温度条件下稳定工作,适用于军事与航空航天等高要求环境。
  • 稳定性:低的集电极截止电流 (ICBO) 意味着该器件在静态下的电流损耗极小,增强了其整体电路的稳定性和可靠性。

总结

BCW72LT1G 是一款功能强大的 NPN 型晶体管,适应性广泛,能够在多种环境下有效地工作,更是数字和模拟电路中不可或缺的元件。其优越的电气特性、紧凑的封装设计以及优秀的工作温度范围,使其成为高性能电子应用的理想选择。无论是在消费电子、工业自动化,还是在高性能的通信设备中,BCW72LT1G 都展现出了卓越的价值。